刻蚀工艺毕业论文

刻蚀工艺毕业论文

为加强产学研合作和国际交流，2011年，成立了重庆国际半导体学院。学院还与中国科学院、中国电子科技集团、四联集团、重庆渝德科技公司、西南集成电路设计公司、重庆神州龙芯科技公司等知名科研院所和企业开展了广泛的合作和交流，建立了人才培养、科学研究和学生实习实训基地。 基于这样的教育理念，学院建设了数门各级精品课程和重点课程。积极推动教学改革，强化素质教育，各级各类的教改项目总数达到20项。重视学生实践教学环节的锻炼培养，狠抓实习基地建设。学院现有专业实验中心实验教学单位，还有中央与地方共建的光信息技术实验室、微电子技术实验室、集成电路设计实验室和射频技术实验室；此外，还先后与重庆普天通信设备有限公司、西南集成电路设计有限责任公司、重庆航伟光电科技有限公司、重庆万道光电科技有限公司等多家单位联合建立了学生实习基地。 科研项目2007年至2012年，先后承担省部级以上项目66项，科研项目经费累计愈4039万元。截至2012年，主要承担的国家及国务院各部门项目 序号 项目名称 项目来源 立项时间 主要完成人 1. 基于拓扑马蹄的低维混沌不变集的研究 国家自然科学基金项目 2009-01 李清都 2. 光脉冲驱动与全光纤检测的哥氏振动微陀螺关键技术研究 国家自然科学基金项目 2011-08 刘宇 3. 基于正Davio判决图的可逆逻辑综合理论及其实现方法的研究 国家自然科学基金项目 2011-08 庞宇 4. 不对称体模回旋管高效准光模式变换的理论及关键技术研究 国家自然科学基金项目 2011-08 王斌 5. 基于异构计算的混合系统混沌判定及其转变研究 国家自然科学基金项目 2011-08 李清都 6. 基于分形的MEMS动态测量理论及方法研究 国家自然科学基金项目 2010-12 罗元 7. 基于温度效应的光学薄膜吸收高分辨率成像技术研究 国家自然科学基金项目 2010-01 郝宏刚 8. 混合系统的若干动力学问题研究 国家自然科学基金项目 2010-01 李清都 9. 国家物联网发展专项资金项目——面向医疗物联网应用的RFID和BAN共性关键技术研发 国务院各部门项目 2011-07 林金朝 10. 智能康复系统中混合Camshift和Kalman滤波的单目视频跟踪算法研究 国务院各部门项目 2010-09 罗元 11. 血液净化设备远程监控系统研发 国务院各部门项目 2009-09 林金朝 12. DAB数字多媒体广播接收机核心模块开发和生产 国务院各部门项目 2009-07 王国裕 13. 国家科技重大专项——TD-SCDMA增强型多媒体手机终端的研发和产业化 国务院各部门项目 2009-05 申敏 14. 国家支撑计划——LTE TDD终端基带科研样片研究开发 国务院各部门项目 2009-01 申敏 15. 国家科技重大专项——TD-SCDMA增强型多媒体终端基带芯片的研发和产业化 国务院各部门项目 2009-01 申敏 16. 国家火炬计划——TD－SCDMA(LCR)手机基带芯片和无线模块 国务院各部门项目 2006-09 申敏 17. 国家863计划——TD-SCDMA终端射频芯片开发 国务院各部门项目 2005-07 陈明 专利发明 序号 专利名称 发明人 授权时间 1. 异构多机器人系统的任务分配方法 罗元(2) 2011-07 2. 一种产生多环绕线卷波的混沌电路及实现方法 罗小华(1) 2011-02 3. 基于微石英角速率传感器的随钻方位测量误差补偿方法 刘宇(1) 2010-09 4. 仿生机器鱼无半径转弯的控制方法 罗元(2) 2010-07 5. Means for implementing a DAB receiver channel decoder 陆明莹(1) 2010-04 6. LED通用驱动电路 吴贵能(1) 2010-03 7. HARQ技术数据缓存的设计方法及其电路 毕敏(1) 2009-12 8. 一种下行同步导频时隙的搜索方法 申敏(2) 2009-12 9. 一种基于信息融合到无线定位多算法增强方法 罗元(2) 2009-11 10. HSDPA中16QAM定点解调方法 王茜竹(1) 2009-09 11. 一种用户终端小区初始搜索中实现码片级精确同步的方法 谭舒(1) 2009-08 12. TD－SCDMA系统中小区初始搜索时的精准接入方法 沈静(1) 2009-06 13. 一种复位值可控的数字电路设计方法 杨小勇(1) 2009-06 14. 一种降低大规模集成电路漏电功耗的设计方法 杨小勇(2) 2009-04 15. 移动通信系统中估计移动终端用户数的方法 申敏(1) 2008-05 16. 一种手机基带芯片的省电同步方法 杨小勇(1) 2007-10 17. 一种基于TD-SCDMA无线定位来波方向的估计方法 罗元(3) 2006-10 科技奖励1. “血液净化系统监测与控制系列关键技术及整机设备”，林金朝（2），国家科技进步奖，二等奖，2012-022. “超大规模集成电路刻蚀工艺控制关键技术研究”，王巍、罗元等，重庆市科技进步奖，三等奖，2011-053. “振动角速率传感器研制及在无线随钻导向定位中的应用”，刘宇，重庆市科技进步奖，三等奖，2011-054. “血液净化系统系列监控技术及整机设备”，林金朝（2），重庆市科技进步奖，二等奖，2010-055. “短距离无线通信技术与应用”，林金朝，重庆市科技进步奖，二等奖，2009-036. “非线性系统复杂行为分析与控制”，李清都，重庆市自然科学奖，三等奖，2009-037. “TD-SCDMA终端核心芯片平台关键技术及应用”，申敏（2），国家技术发明奖，二等奖，2008-128. “数字多媒体广播DMB接收机和基带芯片”，陆明莹、王国裕、张红升等，重庆市科技进步奖，三等奖，2008-039. “TD-SCDMA手机关键技术的研究与实现”，申敏（2），重庆市技术发明奖，一等奖，2007-0310. “硅基MEMS设计与加工技术研究”，潘武（2），重庆市科技进步奖，二等奖，2007-0311. “智能系统分析与控制中的关键问题研究”，李清都（6），重庆市自然科学奖，二等奖，2007-0312. “暗能量的研究”，龚云贵、段昌奎等，重庆市自然科学奖，二等奖，2006-0313. “通信系统中光WDM与光传输机理的研究”，毛幼菊、党明瑞等，重庆市自然科学奖，三等奖，2005-0314. “混沌控制及其在通信理论中的应用”，杨晓松、周平、李清都等，重庆市自然科学奖，三等奖，2004-0315. “通信－广播电视共网传输实用技术的研究”，毛幼菊等，重庆市科学技术奖，一等奖，2002-03 教材专著专著 序号 专著名称 作者 出版社名称 出版时间 1. MIMO技术原理与应用 林云(1) 人民邮电出版社 2010-11 2. 固态振动陀螺与导航技术 刘宇(1) 中国宇航出版社 2010-09 3. 半导体器件完全指南 李秋俊(1) 科学出版社 2009-07 4. 移动机器人技术及其应用 罗元(2) 电子工业出版社 2007-09 5. 混沌系统与混沌电路 李清都(2) 科学出版社 2007-08 6. 计算机网络中的拥塞控制与流量控制 徐昌彪(1) 人民邮电出版社 2007-01 7. 蓝牙协议及其源代码分析 林金朝(2) 国防工业出版社 2006-09 教材 序号 教材名称 排名 出版社 出版时间 1. 数字电路与逻辑设计习题指导 邹虹(1) 人民邮电出版社 2010-09 2. 光纤通信系统与网络 张德民(2) 电子工业出版社 2010-08 3. 射频通信电路 林云(1) 华中科技大学出版社 2009-08 4. 数字信号处理 张德民(2) 高等教育出版社 2009-02 5. AutoCAD 2008中文版机械制图实用教程 王巍(2) 清华大学出版社 2008-08 6. 数字电路与逻辑设计 邹虹(1) 人民邮电出版社 2008-03 7. 信号与系统 何丰(2) 科学出版社 2008-02 8. 信号与系统分析 张德民(1) 高等教育出版社 2006-09 9. 现代通信系统与信息网 张德民(2) 高等教育出版社 2005-08 10. 通信光缆与电缆工程 张德民(2) 人民邮电出版社 2005-02 11. 电信传输原理 张德民(3) 电子工业出版社 2004-08 12. 现代通信系统 张德民(2) 西安电子科技大学出版社 2003-02 集成电路设计与集成系统 （本科，标准学制四年，授予工学学士学位，招收类别：理工类）培养目标：本专业以集成电路及各类电子信息系统设计能力为目标，培养掌握集成电路基本理论、集成电路设计基本方法，掌握集成电路设计的EDA工具，熟悉电路、计算机、信号处理、通信等相关系统知识，可从事集成电路及各类电子信息系统的研究、设计、教学、开发及应用，具有一定创新能力的高层次应用型技术人才。主要课程：半导体器件物理、微电子器件、模拟与数字集成电路设计原理、数字集成电路设计技术及应用、现代通信系统、通信集成电路设计、数模混合集成电路设计、数字信号处理FPGA设计导论、片上系统设计、数字系统仿真与验证等。专业优势和特色：专业方向选择性大，从业口径宽；高水平科研项目为基础的专业实践和创新平台；依托省级重点学科、重庆市微电子工程重点实验室、中央与地方共建的微电子工程中心，与集成电路设计企业合作共建校外实践实习基地；毕业去向：可从事数字集成电路系统设计与开发、片上系统（SoC）、嵌入式系统、计算机控制技术、通信、消费类电子等信息技术领域的研究、教学、科研开发、生产管理和行政管理工作。电子信息科学与技术 （本科，标准学制四年，授予理学学士学位，招生类别：理工类）培养目标：培养同时具备电子技术、信息技术、计算机技术及通信技术领域内宽广理论基础、实践能力和专业知识的，能在包括信息的产生、获取、存储、处理、传输、控制、显示等技术为主体的各类通信与电子信息系统从事相应研究、设计、教学、开发、应用、生产管理等方面工作，且在信息理论与信息系统、信号与信息处理及片上系统（SoC）设计、无线与移动通信技术等方向形成鲜明特色的高级科学与技术人才。主要课程：电路与电子技术、计算机技术系列课程、信号与系统、通信原理、信息理论与编码、数字信号处理、DSP原理及应用，单片机原理及应用、可编程逻辑器件与硬件描述语言、片上系统（SoC）设计、模拟及数字系统设计、传感器与检测技术、无线通信原理、移动通信技术等。专业优势和特色：（1）方向选择性大，从业口径宽。同时具备电子技术、信息技术、计算机技术及通信技术知识。（2）师资力量雄厚。有国内外知名学者及省部级优秀教学团队，有中央地方共建实验室、电工电子“省部级示范实验中心”等基础和专业实践教学平台。（3）沿袭我校信息学科优势，在信息理论与信息系统、信号与信息处理及片上系统（SoC）设计、无线与移动通信技术等方向上特色鲜明。（4）与全国电子信息类高科技企业有良好合作关系。就业去向：电信设备制造商、通信运营商及广播电视、遥控与遥测、雷达、声纳、电子对抗、测量、控制、导航、航空航天等领域相关企业，从事通信与电子信息系统相关研究、设计、开发、应用、生产管理等方面工作，同时也可在电子科学与技术、通信与信息系统等学科领域继续深造或从事研究和教学工作。微电子科学与工程 （本科，标准学制四年，授予工学学士学位，招收类别：理工类）培养目标：培养适应国内外行业发展，具有国际视野，掌握扎实的理论基础，具备良好半导体器件分析能力，在集成电路制造工艺、封装测试和模拟集成电路设计方面具有创新精神和综合竞争力的高素质复合人才。主要课程：半导体器件物理、微电子器件、模拟集成电路设计、射频集成电路设计、现代电子材料与元器件、现代半导体工艺、半导体封装与测试技术等。专业优势和特色：（1）国家级特色专业，师资力量雄厚。（2）拥有省部级重点实验室，省部级教学实验示范中心，与多个知名半导体企业共建校外实训基地。（3）采用全新的“国际半导体学院人才培养模式”，经验成熟。就业去向：能在国内外半导体相关企业及科研院所从事半导体工艺研究、模拟集成电路设计、电子产品设计及半导体设备维护等方面的工作。电磁场与无线技术 （本科，标准学制四年，授予工学学士学位，招生类别：理工类）培养目标：培养基础理论扎实、知识面宽，实践能力强，能够在无线传播环境分析和电磁兼容领域从事科学研究、产品研发、技术服务和管理工作的“研究开发型”和“工程应用型”技术人才。主要课程：数理基础、电路与电子、计算机基础与应用以及通信课程等系列课程，电磁场与电磁波技术、无线传播分析以及电磁兼容技术系列课程等。专业优势和特色：（1）国家特设专业，依托电子科学与技术省级重点学科。（2）具有“电子工程大类实验班”、“大学生科研训练计划”、“专业科研训练计划”等多种人才培养模式。（3）侧重无线传播环境分析、电磁兼容技术、微波射频系统等特色，注重厚基础、强能力的研发型、工程应用型人才的培养。就业去向：通信、广播电视、航空航天、仪器仪表等信息产业和电信设备制造商、通信运营商及天线系统制造等企业，从事无线传播环境分析、电磁兼容等方面的研究、设计和开发等工作，也可在电磁场与微波技术、电子科学与技术、通信与信息系统等学科领域继续深造或从事研究和教学工作。电子科学与技术 本科（标准学制四年，授予工学学士学位，招生类别：理工类）培养目标：培养具备物理电子、光电子与微电子学领域内宽广理论基础、实验能力和专业知识的，能从事各种电子材料、元器件、集成电路、乃至集成电子系统和光电子系统设计、制造和相应新产品、新技术、新工艺研究、开发等方面工作，在电路理论与系统、电子技术及其应用等方向形成特色，并能在相关领域从事相应器件及系统研究、设计、开发、生产管理等方面工作的高级人才。主要课程：数理基础、电路理论、电子技术、计算机基础与技术、通信基础系列课程，单片机原理及应用、半导体物理及器件、电子材料与元器件、电磁场与电磁波、可编程逻辑器件、模拟及数字系统设计等。专业优势和特色：（1）校级品牌专业。依托电子科学与技术重点学科（截至2012年为博士点建设学科），为学生进一步深造提供良好条件。（2）师资力量雄厚。以重庆高校实验教学示范中心电工实验中心、中央地方共建射频实验室和电磁场与微波技术实验中心等为基础和专业实践教学平台。（3）服务电子信息产业和地方经济，在电路理论与系统、电子技术及其应用等领域特色鲜明。就业去向：电信设备制造商、通信运营商及广播电视、航空航天等企业，从事电路设计、电子元器件研制、测控仪器软硬件设计和电子企业的生产管理等工作，也可在电子科学与技术、通信与信息系统等学科领域继续深造或从事研究和教学工作。光电信息科学与技术 （本科，标准学制四年，授予工学学士学位，招生类别：理工类）培养目标：培养德才兼备、基础扎实、知识面宽、创新能力强，具备本专业的基本理论和专业技能，强化“光机电算”结合。可从事光通信系统设计及开发、光电系统及工程、通信工程、光电器件及信息处理、显示与照明及相关的电子信息技术、计算机科学、仪器仪表等领域的科研、开发、生产或管理工作的科学与工程技术人才。主要课程：数理基础、基础光学、电路、计算机及通信系列课程，光电技术、光纤技术、光信息处理和显示与照明等系列专业课程，光电领域前沿技术课程。专业优势和特色：（1）重庆市特色专业，重庆邮电大学品牌专业。（2）专业方向选择性大，从业口径宽，截至2012年，来本专业毕业生就业率保持在95%以上。（3）拥有国内外知名学者，师资力量雄厚。（4）依托市级光纤通信技术重点实验室，拥有中央与地方共建专业实验室，与全国电子信息类高科技企业等有良好的合作关系。就业去向：通信设备制造商、通信营运商、光机电设备制造商、以及显示与照明技术及相关领域内从事产品开发、生产技术或管理工作，攻读硕士学位或从事科研与教学工作。 电工理论与新技术 本学科以电工理论为基础，突出电工理论与新技术相结合的前沿理论与技术研究。截至2012年，本学主要从事电子新技术及其应用、电工理论与通信技术、物联网技术应用、智能电网等方面的研究工作。截至2012年，本学科在电子技术与信息技术和通信技术结合等领域取得了较好的成绩，出版专著10部，发表高水平论文100余篇，承担十余项国家、部省级以上科研项目，获省部级以上科学进步奖多项，特别是在通信电子新技术等研究方面成绩显著。本学科的主要学位与专业课程有：现代电路理论及技术、现代信号处理、现代传感技术与系统、高等电磁场理论、现代电力电子技术、智能电网技术、物联网技术与应用、射频识别原理与系统设计等。集成电路工程 集成电路工程技术包含了当今电子技术、计算机技术、材料技术和精密加工等技术的最新发展。集成电路高密度、小尺度、高性能的特点，使得集成电路工程技术成为当今最具有渗透性和综合性的工程技术领域之一。集成电路的应用涉及网络通信、计算系统、信息家电、汽车电子、控制仪表、生物电子等众多方面。设计并制造集成电路作为应用产品的核心，是现代电子系统面向用户、面向产品、面向应用赢得竞争力的要求，同时也是传统产业升级和改造的关键。我院与中国电子科技集团公司第24、44、26研究所、四联集团、重邮信科公司、西南集成电路设计公司等国内外许多科研院所、公司企业在集成电路工程领域展开了广泛的人才培养和科研合作，实现了资源共享、优势互补。本专业聘请了具有丰富科研和实际工作经验的科研院所及企业高级专家担任兼职导师，为其提供了良好的应用型支撑。本专业的主要课程有：半导体器件物理、固体电子学、电子信息材料与技术、电路优化设计、数字集成电路、模拟集成电路、集成电路CAD、微处理器结构及设计、集成电路测试方法学、微电子封装技术、微机电系统（MEMS）、VLSI数字信号处理等。光学工程 “光学工程”是一门历史悠久而又年轻的学科，是以光学为主的，并与信息科学、能源科学、材料科学、生命科学、空间科学、精密机械与制造、计算机科学及微电子学等学科交叉与渗透的学科，包括激光技术、光通信、光存储与记录、光学信息处理、光电显示、全息和三维成像、薄膜和集成光学、光电子和光子技术、激光材料处理和加工、弱光与红外成像技术、光电测量、光纤光学、现代光学和光电子仪器及器件、光学遥感技术及综合光学工程技术等学科分支，成为现代光学产业和光电子产业迅速发展的重要基础。本学科拥有一支教授、研究员、副教授和讲师组成的结构合理的学术梯队，依托工信部和重庆市光纤通信技术重点实验室、重庆市微电子工程重点实验室，在光电子技术及应用、光纤通信系统、光电材料与器件以及红外成像与图像处理技术等领域已经形成稳定的、特色鲜明的学术方向，2009年至2012年来承担国家级、省部级科研项目以及横向项目等20余项，获得省部级科技成果奖5项，国家级/省部级教学成果奖8项，在国内外学术刊物和国际学术会议上发表论文100余篇，其中SCI/EI/ISTP检索50余篇。本学科的主要学位与专业课程有：数学物理方法、随机过程及其应用、激光物理与技术、光电子技术、光电材料与器件、光纤通信原理、高等光学、集成光学、数字成像技术、机器视觉、光纤传感与检测技术、非线性光学、微机电系统技术、微弱信号检测技术。电子科学与技术 电子科学与技术是信息科学与技术的基础。本学科和信息与通信工程、计算机科学与技术以及控制科学与工程3个学科共同构成我校电子信息大类的主干学科。经过多年的建设，本学科在学科方向、学术团队、科研平台、研究成果和人才培养方面取得了良好发展。本学科拥有重庆市重点学科微电子学与固体电子学和微电子工程重庆高校市级重点实验室，和光纤通信技术重庆高校市级重点实验室。截至2012年，本学科已经在微电子系统与集成电路设计、半导体材料、器件与工艺、光电子技术及应用和通信与测控中的电路系统与电磁理论等方向上形成明显的特色和优势，初步形成了一支结构合理的学术团队，取得了一系列学术成果。截至2012年，先后承担省部级及其以上项目57项，其中国家自然科学基金项目14项；近五年发表论文525篇，其中被SCI、EI、ISTP收录149篇；共获得省部级以上科技奖11项，特别是微电子系统与集成电路设计研究团队参与的“TD-SCDMA终端核心芯片平台关键技术及应用”项目获得了国家技术发明二等奖，半导体材料研究团队完成的“稀土体系光谱的理论研究”项目获得重庆市自然科学一等奖。同时，本学科还获国家级和重庆市高等教育教学成果奖6项。近五年招收硕士研究生299人，授予硕士学位156人，并与西安交通大学、电子科技大学等高校联合培养博士研究生。本专业的主要学位与专业课程有：数学物理方法、随机过程及其应用、高等代数与矩阵分析、半导体器件物理、晶体管原理、高等电磁场理论、光波导理论、光通信新技术、微机电系统技术、非线性电路与系统、射频集成电路设计、非线性系统的混沌与控制、集成电路设计与制造技术、微波电路等。 截至2014年，在职教职工92人，其中教授14人，副教授36人，讲师42人；专业教师中，25人具有博士学位，46人具有硕士学位；博士生导师6人，享受政府特殊津贴专家2人，重庆市优秀中青年骨干教师3人。2001年以来，教师共发表论文552篇，其中186篇被SCI收录、EI、ISTP收录；共承担包括863重大项目、国家自然科学基金在内的科研项目88项，获省部级科技进步奖9项，国家专利4项；教师中4人次获省部级先进个人。围绕“光纤通信技术重点实验室”与“微电子工程重点实验室”两个省部级重点实验室，以及“微电子学与固体电子学”省部级重点学科的建设，截至2014年已经在光纤通信技术、TD-SCDMA手机核心芯片的研发、DAB/DMB技术、纳米光电子材料的理论研究等领域形成特色。

湿法腐蚀的优点在于可以控制腐蚀液的化学成分，使得腐蚀液对特定薄膜材料的腐蚀速率远远大于其他材料的腐蚀速率，从而提高腐蚀的选择性。但是，由于湿法腐蚀的化学反应是各向同性的，因而位于光刻胶边缘下边的薄膜材料就不可避免的遭到腐蚀，这就使得湿法腐蚀无法满足ULSI工艺对加工精细线条的要求。所以相对于各向同性的湿法腐蚀，各向异性的干法刻蚀就成为了当前集成电路技术中刻蚀工艺的主流。 一、干法刻蚀的原理 干法刻蚀是指利用等离子体激活的化学反应或者是利用高能离子束轰击去除物质的方法。因为在刻蚀中并不使用溶液，所以称之为干法刻蚀。干法刻蚀因其原理不同可分为两种，一种是利用辉光放电产生的活性粒子与需要刻蚀的材料发生化学反应形成挥发性产物完成刻蚀，也称为等离子体刻蚀。第二种是通过高能离子轰击需要刻蚀的材料表面，使材料表面产生损伤并去除损伤的物理过程完成刻蚀，这种刻蚀是通过溅射过程完成的，也称为溅射刻蚀。上述两种方法的结合就产生了第三种刻蚀方法，称为反应离子刻蚀（简称RIE）。 在干法刻蚀中，纵向上的刻蚀速率远大于横向的刻蚀速率。这样，位于光刻胶边缘下边的材料，由于受到光刻胶的保护就不会被刻蚀。不过，在干法刻蚀的过程中，离子会对硅片上的光刻胶和无保护的薄膜同时进行轰击刻蚀，其刻蚀的选择性就比湿法刻蚀差（所谓的选择性是指刻蚀工艺对刻蚀薄膜和其他材料的刻蚀速率的比值，选择性越高，表示刻蚀主要是在需要刻蚀的材料上进行）。 在等离子体中存在有离子、电子和游离基（游离态的原子、分子或原子团）等，这些游离态的原子、分子或原子团等活性粒子，具有很强的化学活性，如果在这种等离子体中放入硅片，位于硅片表面上的薄膜材料原子就会与等离子体中的激发态游离基发生化学反应，生成挥发性的物质，从而使薄膜材料受到刻蚀，这就是等离子体刻蚀的原理和过程。因为等离子体刻蚀主要是通过化学反应完成的，所以具有比较好的选择性，但是各向异性就相对较差。 在溅射刻蚀过程中，等离子体的高能离子射到硅片表面上的薄膜表面时，通过碰撞，高能离子与被碰撞的原子之间就会发生能量和动量的转移，从而使被撞原子受到扰动。如果轰击离子传递给被撞原子的能量比原来的结合能（从几个eV到几十个eV）还要大，就会使被撞原子脱离原来的位置飞溅出来，产生溅射现象。例如，辉光放电中产生的氩离子，其能量高达500eV以上，这种高能离子束轰击硅片上的薄膜表面就会形成溅射刻蚀。溅射刻蚀的优点是各向异性刻蚀，而且效果很好，但是对刻蚀的选择性相对较差。 反应离子刻蚀是一种介于溅射刻蚀与等离子体刻蚀之间的干法刻蚀技术。在反应离子刻蚀中，同时利用了物理溅射和化学反应的刻蚀机制。反应离子刻蚀与溅射刻蚀的主要区别是，反应离子刻蚀使用的不是惰性气体，而是与等离子体刻蚀所使用的气体相同。由于在反应离子刻蚀中化学和物理作用都有助于实现刻蚀，因此就可以灵活的工作条件以求获得最佳的刻蚀效果。举例来说，如果某种气体的等离子体只与Si起化学反应，由于化学反应阻挡层SiO2的存在，就可以得到良好的Si/SiO2刻蚀速率比，从而保证刻蚀选择性的要求。反应离子刻蚀的缺点在于刻蚀重点难以检测。 综上所述，等离子体刻蚀和溅射刻蚀之间并没有明显的界限，一般来说，在刻蚀中物理作用和化学反应都可以发生。我们分析反应离子刻蚀、等离子体刻蚀和溅射刻蚀之间的关系可以看到：在反应离子刻蚀中，物理和化学作用都特别重要；在等离子体刻蚀中，物理效应很弱，主要是化学反应；而在溅射刻蚀中，几乎是纯物理作用。比较这三种刻蚀技术我们还可以发现，它们都是利用低压状态下（约—133Pa）气体放电来形成等离子体作为干法刻蚀的基础，其区别是放电条件、使用气体的类型和所用反应系统的不同。刻蚀反应的模式取决于刻蚀系统的压力、温度、气流、功率和相关的可控参数。目前，在集成电路工艺过程中广泛使用的是反应离子技术。下面简要介绍采用干法刻蚀对集成电路制造中常用材料的刻蚀情况。 二、二氧化硅和硅的干法刻蚀 二氧化硅在集成电路工艺中的应用非常广泛，它可以作为隔离MOSFET的场氧化层，或者是MOSFET的栅氧化层，也可以作为金属间的介电材料，直至作为器件的最后保护层。因此，在集成电路工艺中对SiO2的刻蚀是最为频繁的。在ULSI工艺中对二氧化硅的刻蚀通常是在含有氟化碳的等离子体中进行。早期刻蚀使用的气体为四氟化碳（CF4），现在使用比较广泛的气体主要有CHF3、C2F4、SF4，其目的都是用来提供碳原子核和氟原子与SO2进行反应。以CF4为例，当CF4与高能量电子（约10eV以上）碰撞时，就会产生各种离子、原子团、原子和游离基。其中产生氟游离基和CF3分子的电离反应。氟游离基可以与SiO, 和Si 发生化学反应。反应将生成具挥发性的四氟化硅（SiF4)。 CF4+e——CF3 十F(游离基）＋e SiO2+4F——SiF4(气）＋02 Si+4F——SiF4(气） 在ULSI工艺中对SiO2 的干法刻蚀主要是用于刻蚀接触窗口，以MOSFET的接触窗口刻蚀为例。在MOSFET的上方覆盖有SiO2 层（通常是硼磷硅玻璃，简称BPSG), 为了实现金属层与 MOSFET的源／漏极之间的接触，需要刻蚀掉位于 MOSFET源／漏极上方的SiO2。为了使金属与 MOSFET源／漏极能够充分接触，源／漏极上方的SiQ2必须彻底清除。但是在使用CF4等离子体对SiO2进行刻蚀时，等离子体在刻蚀完 SiO2之后，会继续对硅进行刻蚀。因此，在刻蚀硅上的二氧化硅时，必须认真考虑刻蚀的选择性问题。 为了解决这一问题，在CF4 等离子体中通常加人一些附加的气体成份，这些附加的气体成份可以影响刻蚀速度、刻蚀的选择性、均匀性和刻蚀后图形边缘的剖面效果。 在使用CF4对硅和二氧化硅进行等离子刻蚀时，如果在CF4的等离子体中加人适量的氧气，氧气也同样被电离。其中，氧原子将与CF4反应生成CO和CO2 , 以及少量的COF2 ,另一方面，氟原子在与SiO2反应的同时，还与CF4原子团（x≤3)结合而消耗掉。在纯CF4等离子体中，由于存在使氟原子消耗的反应，造成氟原子的稳态浓度比较低，所以刻蚀的速度也比较慢。如果加入氧，则氧可与CFx原子团形成COF2 , CO和CO2, 造成CF, 原子团耗尽，从而减少了氟原子的消耗，进而使得CFx等离子体内的氟原子数对碳原子数的比例上升，其结果是氟原子的浓度增加，从而加快SiO2 的刻蚀速度。 对于CF, 刻蚀Si薄膜，也有相同的情况。在CF4刻蚀二氧化硅的过程中，氧的组分大约占20%时刻蚀的速度达到最大值。而使用CF4刻蚀硅，刻蚀速度最大时氧的组分大约占12% 。继续增加氧的组分，刻蚀速度将会下降，而且硅刻蚀速度的下降程度比刻蚀二氧化硅快。对于刻蚀 SiO2而言，氧的组分达到23%之前，刻蚀速度都是增加的，在达到氧组分临界值之后，由于氟原子浓度被氧冲淡，刻蚀速度开始下降。另一方面，由干于反应是在薄膜表面进行的，在刻蚀硅的情况下，氧原子倾向于吸附在Si的表面上，这样就部分地阻挡了氟原子加人反应。随着更多氧的吸附，对Si的刻蚀影响进一步增加。而在刻蚀二氧化硅时就不存在类似的效应。因为等效地看，SiO2的表面一开始就被氧原子所包围。因此，对硅的刻蚀速度最大时，其氧气的组分要小于刻蚀 SiO2的情况。 如果在CF4等离子体中加人氢，情况就会完全不同。在反应离子刻蚀二氧化硅的过程中，在相当低的气压下加大氢的组分，二氧化硅的刻蚀速度随氢的组分的增加而缓慢减小，这种情况可以持续到氢的组分大约占40%.而对于硅的刻蚀来说，刻蚀速度随氢组分的增加快速下降，当氢的组分大于40%时，对Si的刻蚀将停止。在CF4等离子体中加人氢对刻蚀的影响情况。 我们可以通过CF4等离子体刻蚀Si和SiO2的化学反应机制来解释这一现象。在刻蚀Si的过程中，氟原子与氢原子发生反应，从而使氢原子的浓度下降，这样等离子体中碳的含量升高，刻蚀反应就会被生成高分子聚合物的反应所代替，这就减小了对Si的刻蚀速度。另一方面，CFx(x≤3)原子团也可以与Si反应，生成挥发性的 SiF, 但是反应剩余的碳原子会吸附在Si的表面上，这些碳原子就会妨碍后续反应的进行。对于刻蚀SiO2的情况，氟原子也会与氢原子发生反应，氢原子的浓度下降也使SiO2的刻蚀速度减缓。面与刻蚀Si的情况不同的是，在CFx(x≤3)原子团与SiO2反应生成挥发性的SiF4的同时，CFx(X<3)原子团中的碳原子可以与二氧化硅中的氧原子结合，生成CO, CO2以及COF2气体，因此SiO2刻蚀速度的减缓程度要小于刻蚀Si的情况。在氢浓度超过40%以后，由于大量的氟原子与氢反应，CF4等离子体中的碳浓度开始上升，这也会在二氧化硅的表面形成高分个聚合物，从而使SiO2的刻蚀速度下降。 总的来看，在CF4等离子体中添加其他气体成份可影响等离子体内氟原子与碳原予的比例，简称F/C比。如果F/C比比较高（在CF4等离子体中添加氧气）， 其影响倾向于加快刻蚀。反之，如果F/C比比较低（在CF4等离子体中添加氢气）， 刻蚀过程倾向于形成高分子聚合物薄膜。 根据上述研究，可以通过在CF4等离子体中加人其他气体成份的方法，来解决选择性刻蚀 SiO2/Si的问题。如果CF4等离子体中O2的含量增加，刻蚀 Si 和刻蚀 SiO2的速度都加快，并且Si刻蚀速度的加快程度要大于刻蚀 SiO2的情况。因此，在CF4等离子体中加人O2将导致 SiO2/Si 刻蚀的选择性变差。在CF4等离子体中加人氢气对 SiO2的刻蚀影响不大，但是可以减小对Si的刻蚀速度。这说明在CF4等离子体中加人适量的氢气，将可以加强SiO2/Si刻蚀的选择性。 在当前集成电路工艺的干法刻蚀中，通常使用CHF3等离子体来进行SiO2的刻蚀。有时在刻蚀的过程中还要加人少量的氧气来提高刻蚀的速度。此外，SF6和NF3可以用来做为提供氟原子的气体。因为SF6和NF3中不含碳原子，所以不会在Si的表面形成高分子聚合物薄膜。 三、Si3N4的干法刻蚀 在ULSI工艺中，Si3N4的用途主要有两种：一种是在二氧化硅层上通过LPCVD 淀积Si3N4薄膜，然后经过光刻和干法刻蚀形成图形，做为接下来氧化或扩散的掩蔽层，但是并不成为器件的组成部分。这类Si3N4薄膜可以使用CF4, CF4(加O2, SF6和NF3)的等离子体刻蚀。另一种是通过 PECVD 淀积Si3N4做为器件保护层，这层 Si3N4 在经过光刻和干法刻蚀之后，氮化硅下面的金属化层露了出来，就形成了器件的压焊点，然后就可以进行测试和封装了。对于这种Si3N4薄膜，使用CF4-O2等离子体或其他含有F原子的气体等离子体进行刻蚀就可以满足要求。 实际上用于刻蚀SiO2的方法，都可以用来刻蚀 Si3N4.由于Si-N键的结合能介于Si-0键与 Si-Si键之间，所以氮化硅的刻蚀速度在刻蚀 SiO2和刻蚀Si之间。这样，如果对Si3N4/SiO, 的刻蚀中使用 CF4或是其他含氟原子的气体等离子体，对Si3N4/SiO2的刻蚀选择性将会比较差。如果使用 CHF3等离子体来进行刻蚀，对SiO2/Si的刻蚀选择性可以在10以上，而对Si3N4/Si的选择性则只有3~5左右，对 Si3N4/SiO2的选择性只有2~4左右。 刻蚀速率R是干法刻蚀的主要参数，刻蚀速率低，易于控制，但不适合实际生产要求。对于ULSI制造工艺，要有足够的刻蚀速率，且能重复、稳定的运用于生产中。这一节讨论几个影响刻蚀速率的主要因素。 四、离子能量和入射角 因为溅射刻蚀是利用物理溅射现象来完成的，所以，刻蚀速率由溅射率、离子束人射角和入射流密度决定，溅射率S定义为一个人射离子所能溅射出来的原子数。离子能量达到某一阈值能量以后（大约20 eV), 才能产生溅射，要想得到实用的溅射刻蚀速率，离子能量必须比阙值能量大得多（达几百eV以上）。在刻蚀工艺中离子的能量一般≤2keV, 在这 个能量范围内，大多数材料的溅射率随离子能量的增加单调上升，当离子能量达到一定程度之后，刻蚀速率随能量的增加是缓慢的。对于·ULSI所用的材料，Ar+离子能量为500eV 时，溅射率的典型值为0. 5~1. 5. 离子人射角表示离子射向衬底表面的角度（垂直于表面人射时，), 它是溅射率的敏感函数。当人射角大于零并增大时，衬底原子脱离表面飞出的几率增大，但是当人射角超过某一值时，在表面反射的离子增多，溅射率下降。人射角从零逐渐增加，S值也逐渐增大，在某一角度0-0max时，溅射率达到最大值，随后又逐渐减小，当0=90时，溅射率减小到零，即S=0. 在等离子体刻蚀和反应离子刻蚀中，溅射对刻蚀速率的贡献很小，更重要的是离子与材料表面之间的化学反应。但实验证明，由等离子体产生的中性粒子与固体表面之间的作用将加速反应，这种离子加速反应在许多干法蚀工艺中都起着重要作用。图8. 32是离子加速刻蚀的例子，图中分别给出Ar+和XeF2离子束射向硅表面的情况，每种离子束单独人射时，刻蚀速率都相当低。Ar+离子束是物理溅射刻蚀，XeF2解离为Xe 和两个F原子，然后，F原子自发地和硅反应形成挥发性氟化硅。当450 eV的Ar+离子束和XeF2气体同时人射时，刻蚀速率非常高，大约为两种离子束单独刻蚀速率总和的8倍。 图8. 33 表示的是离子加速反应的另一个例子，图中给出的是有Ar+存在时，CI2与硅的反应。与F原子不同，Cl2不能自发地刻蚀硅，当用450eV的Ar+离子束和Cl2同时射向表面时，硅被刻蚀，而且刻蚀速率比 Ar +溅射的刻蚀速率高得多。由图中可以看到，约轰击220秒时加人CI2气，刻蚀速率发生跃变，这是由于大量氯的存在所引起的。有几种可以解释离子加速反应的机理。① 离子轰击将在衬底表面产生损伤或缺陷，加速了化学反应过程；②离子轰击可直接离解反应剂分子（例如XeF2或Cl2); ③离子轰击可以清除表面不挥发的残余物质。对这些机理及它们的相对重要性的研究仍旧是一个重要课题，并有所争论。 在上述的第一种情况中（XeF2十Si), 没有离子轰击时，离解的F原子可自发地刻蚀硅，但刻蚀速率低，在高能离子轰击下，提高了总刻蚀速率；在第二种情况下，没有高能离子轰击，（Cl2+Si)是不发生反应的。我们称前者为离子增强刻蚀；后一种情况称为离子感应刻蚀。 这两个例子说明，离子束刻蚀情况是与物过程有关的，并不是惰性气体离子的化学反应的贡献。在（XeF2十Si)和（Cl2+Si)的加速反应中，若离子能量为1keV时，Ar+, Ne+和He+离子的加速作用依次为Ar+>Ne+>He+。大量的研究结果表明，这些离子的加速作用与动量转移有关。但是，在CF4及其有关气体的等离子体刻蚀中，情况又不一样，这里离子本身就含有反应剂（例如CF3+）。在用XeF2刻蚀Si，并同时进行离子轰击的情况下，若用CF3+代替Ar+进行轰击，其刻蚀速率基本上不发生变化。因此，高能离子通过物理过程可以增强反应过程，与离子的化学反应无关。 对于反应离子刻蚀，等离子体中产生的主要是中性反应物，这些中性反应物先吸附于固体表面，再与表面原子反应，形成的反应物再解析成挥发性物质，整个反应可有等离子体中的高能离子诱发并加速。当然，高能离子提高反应速率的程度取决于所用的气体，材料和工艺参数的选取。 五、气体成份气体成份在等离子体刻蚀或反应离子到蚀中是影响刻蚀速率和选择性的关键因素，表8、1是VLSI制造中常用材料的一些代表性刻蚀气体。由表可见，除了去除光削胶和刻蚀有机质之外，VLSI中主要使用卤素气体。选择气体的主要依据是，在等离子刻蚀温度(室温附近)下，它们是否能和剥蚀材料形成挥发性或准挥发性卤化物，由于含卤气体能相当容易地剂蚀VLSI所用的无机材料，而且工艺危害也很小，所以，卤化毒气体占有主要优势。 在反应刻蚀中，经常使用的是含多种成份的混合气体，这些混合气体由一种主要气体加入一种或几种添加剂组成，添加剂的作用是改善刻蚀速率、选择性、均匀性和刻蚀剖面。例如，在刻蚀Si和SiO2时，使用CF4为主的混合气体， 六、气体流速 气体流速决定反应剂的有效供给程度。反应剂的实际需要取决于有效反应物质产生与消耗之间的平衡过程，刻蚀剂损失的主要机制是漂移、扩散、复合以及附着和输运。 在一般工作条件中，气体流速射到蚀邃率R的影响不大，在极端情况下，可以观察到气体液邃的影响，例如，诙邃很小，刻蚀速率受反应剂供给量的限制1相反，当流邃很大时，输运成为反应剂损失的主要原因。是否发生输出损失取决于泵速、气体和反应器内的材料，在一般情况下，活性反应剂的寿命根短，流速的影响不必考虑}当活性剂的寿命较长(例如F原子)时，流速对刻蚀速率R产生影响，由图可见，R-1是流速的线性函数，这与反应剂滞留时间与流速的关系一致，说明在所示的条件下，活性剂的寿命由输运损失决定。 七、温度在反应剥蚀中，M度对刻蚀速率的影响主要是通过化学反应j直率体现的。为获得均匀、重复的刻蚀速率，必须认真控制衬底温度，等离子体加热是衬底温度上升的主要原因；此外，刻蚀过程的放热效应也不可忽视。 八、压力、功率密度和频率 压力、功率密度和频率都是独立的工艺参数，但在实际中，它们各自对刻蚀工艺的影响是难以预计的。压力和频率较低，而功率密度较高，可以提高电子能量和人射离子的能量，增加功率也可提高等离子体中活性剂和离子的密度。因此，在离子加速反应刻蚀中，降低压力或频率，或增加功率密度，可以获得更好的各向异性刻蚀。 一般刻蚀速率单调地随功率而增加。由于外加功率几乎都要转变为热量，因此，在功率密度板高时，样品温度升高，需要考虑衬底散热，否则，会造成有害的影响。 系统压力对到蚀速率的影响，随刻蚀材料及气体的不同而有明显的差异。随着系统压力増加，刻蚀速率增大，选择合适的刻蚀条件可以获得最大的刻恤速率。 频率主要是通过离子能量面影响到蚀速率。放电的工作电压障频率的降低而增加，因而离子的轰击能量在低频下将比高频下的高，又因为刻蚀速率与您轰击能量成正比，所以，在低频下能获得比较高的划蚀速率。 九、负载效应 在反应刻蚀的过程中，刻蚀的速率往往隲刻蚀面积的增大而减小，这种现象称为负载效应。当反应剂与剥蚀材料的反应迅速时，容易产生负戦效应。如果刻蚀是反应剂的主要损失机制，则刻蚀材料的表面积越大，反应剂的消耗速率就越快。活性物质的产生率由工艺参数(例如压力、功率、频率等)决定，与到蚀材料的多少无关、这样，反应刑的平衡浓度可由产生率和损失率之差决定，在反应离子刻蚀的过程中，刻蚀速率只与被刻蚀的面积成反比，刻蚀的速率R随被刻蚀的面积的増大而减小。这说明在一次刻蚀的过程中，需要刻蚀的硅片数目越多，由于反应原子和原子团的消耗，整体的刻蚀速率就越慢。若等离子体中反应刑的寿命很短，负载效应很小就可以忽略，反应剂的损失机构主要由刻蚀消耗所决定。 在集成电路工艺中，负载效应的出现，将影响图形尺寸的精确控制，因为，随着刻蚀到达终点，被腐材料的表面积迅速减小，此时的刻蚀速率就会比正常划蚀速率高得多，不但进行过刻蚀，而且也加速了倒向刻蚀，给条宽的控制造成困难。 从某种意义上说，负载效应是一种宏观过程，反应室中某个硅片的存在将影响另一硅片的刻蚀速率，这就意味着等离子体中反应剂的输运过程非常迅速，以致等离子体中的反应剂并不存在多大的浓度梯度。当然，被多打虫图形的尺寸和密度不同，也会影响刻蚀速率，这可能是由于反应速率不同，引起反应剂的局部浓度梯度而造成的。

錾刻工艺论文参考文献

在中国 的金属工艺史上,金属浮雕的成型方法以青铜铸造法和金银錾刻法为最,前者利用了金属的可熔性,后者利用了金属的延展性。金属浮雕首先作为金属器物的装饰品出现,这使中国早期的金属浮雕成为实用功能与审美功能的统一体,是从实用艺术向纯审美艺术过渡的一个重要环节。通常以浮雕为组成部分的金属器物,不仅是工艺品,而且是生活的实用品。如浮雕所装饰的青铜器,便体现了直接的实用意义。商周青铜器上高浮雕的装饰和镂空雕的把手,便于使用,方便搬运。汉代铜扣镂空的浮雕,可增添服饰的质感对比,同时减轻铜饰物的重量。唐代金银食器用双层金属片制成,浮雕处理成内片浅纹、外片深纹的形式,既保温、隔热,外片的浮雕图案又能体现出当时的装饰手法。唐代铜镜浮雕制作是一个高峰,铜镜背面装饰布满了各种珍禽异兽、祥花瑞草,为的是表达对吉祥富贵及长生不老的祈求。汉代北方游牧民族铜饰浮雕常选用马、牛、驼、虎等图形,表露出人们征服自然的愿望。 中国金属浮雕表现手法中凹进形式的运用是与最早使用“刻”的技术有关。应该说石器时代尖状工具的使用和发展,对金属雕刻工艺技术起到关键作用。为什么金属浮雕最早出现在铜器上,而不选用其他金属材料?这是由金属工艺的生产技术所决定的。在七种史前金属中,只有金、银、铜是以天然金属的形态出现的,铜在自然界中分布最广,又易于熔铸加工成各种带有浮雕纹饰的器物造型。《中国科学技术史稿》一书认为 :青铜冶铸业是从石器加工和制陶业中产生发展起来的。人们在找寻和加工矿石料的过程中,逐步识别自然铜和铜矿石。烧制陶器的丰富经验为青铜的冶铸提供了高温冶炼、耐火材料和造型材料、造型技术等条件。早期的青铜器造型也是仿制陶器造型慢慢演变而来。古代工匠在创造“壁范过足包底铸法”的时候,在泥模、范壁上刻划多种凹线,在合范浇铸成青铜器之后,器物表面出现凸起的浮雕图形。从考古出土资料分析研究,商代的铸范程序是,先用土制成实心的造型,将主要花纹图案塑在模子上,再用泥按部位分块翻范,最后再修整造型刻制花纹。工艺上利用泥的潮湿柔软可塑性进行造型,待泥范阴干后,在泥范上再进行细部刻划。这样制作的青铜器浮雕线面结合,阴阳并置,是丰富浮雕艺术的常用表现手法。春秋战国之际,发明了印模制范工艺,即用泥片在模板上复制出各种浮雕纹饰,然后将多个纹饰拼接在泥型器物表面。工艺的进步改变了金属浮雕的面貌,规格化的模具代替了部分手工雕刻,浮雕纹饰的规矩、细密、清晰以及精密的范铸技术使金属浮雕造型达到前所未有的高度。然而缺点也显露出来,浮雕风格趋于程式化、雷同化,失去了早期浑厚的重量感和坚实的体积感。 唐代期间,西域的錾刻工艺技术的引进刺激了金银业的发展。唐代的錾刻工艺十分复杂,工具有几百种之多,根据造型需要随时制作出不同形状的錾头或錾刀。錾头大致分为两种,一类是錾头不锋利的,可錾刻较圆润的纹样,另一类是錾头锋利如凿子,可錾出较细腻的纹样。同时随着槌、雕镂、錾刻等技术逐渐为人们所熟悉和掌握,形成了独具中国特色的錾花工艺。錾刻是錾花主要工艺,用各种形状的小錾子在金、银器上錾刻以线为主的花纹,底面常用錾鱼子底纹加以糙化。錾花另一种工艺是敲凸和敲凹法,可在器物表里同时錾刻使花纹凹凸呈浮雕状。镂空工艺也是一种錾刻技法,要錾刻掉设计中不需要的部分,形成透空的纹样称镂空或透雕。錾刻技术产生出丰富多彩的艺术效果,在金银器使用了捶揲技术之后錾刻一直作为细部加工手段而使用,运用在铸造器物的表面刻画上,贴金、包金器物的纹样部分也采用此法。唐代金银器上流行的珍珠地纹是在器物表面用圆錾刀錾出细密的小圆圈,排列整齐,需要熟练的技术,使银器表面更为斑斓,珍珠地纹是唐代创新的特殊工艺。 近代化学与电能的出现,用整流器与电解槽的组合使浮雕制作又多了一种新工艺、新方法。使铜离子通过化学电解的原理使阳极的铜离子逐渐向阴极带有电极的模板上聚集,这种翻制工艺我们称为电铸法。电铸法前期的工作还是借用古人的浮雕制作工艺,先造型塑造体积,然后翻阴模,在模子上进行二次创作,在阴模上刻划凹纹图形或花纹,这样既有体积又有纹饰的新型浮雕,通过正负极低电压、高电流的作用下在电解槽中完成“雕刻”作品。用电铸法制作浮雕能很好地保持泥塑原形的自然风貌,还可将细微的甚至于毫发都能电铸翻制得十分清晰。电铸法使用的是电解铜,其铜质很纯,色泽典雅,铜浮雕翻成型后,还要进行脱模、清洗,用金属工具进行修整,去掉废边,需要光洁的部位必须抛亮,在铜浮雕的表面形成各种肌理效果。以立体定型、纳光纳阴、以凹代凸为主要表现手法的多高点现代浮雕若采用电铸法制作就会非常得心应手。 中国传统金属浮雕在各个历史时期都有实物出土,其中精品不胜枚举,从中我们体会到中华民族博大浑厚的精神气质和高超的工艺手法。我们既要继承传统浮雕的塑造手法、装饰规律和工艺技巧,同时还要开创新的工艺、新的技法,使传统艺术得到发扬。 参考文献: 齐东方 :《唐代金银器研究》,中国社会科学出版社,北京,1999。

刘勰著《文心雕龙・知音》里写道:“操千曲而后晓声,观千剑而后识器”,意为练习一千支乐曲之后才能懂得音乐,观察过一千柄剑之后才能知道如何识别剑器。引申开来就是要学会一种技艺,不是容易的事,做个鉴赏家,也要多观察实物。这里提到了中国文化代表里的两种:音乐和宝剑,笔者在此文中主要陈述一下中国宝剑文化的代表――龙泉宝剑。 一、龙泉宝剑产生的时代背景 中国的宝剑文化,是中华文明的重要组成部分,有着悠久的历史和辉煌的成就。为什么名剑出自龙泉,让我们来看看龙泉的自然地理风貌与人文历史。这一切与地理有着很深的关系,因为离开了气候和风土就不会产生相应的手工艺。浙江龙泉是浙南地区一个有着山的浑厚与水的轻灵这样美丽富饶的地方,凭借着地处古老瓯江源头的优势而四季葱绿。瓯江缆“奇峰、幽谷、流泉、密林、飞瀑”于一域。上游溪水清醇甘滋、纤细淡雅而又幽静地卧在“一折青山一扇屏”的秀丽的山麓绿丛下,两岸是片片山峦拱绿耸翠、蓊郁莽莽。 宝剑是中国古代兵器之一,属于“短兵”,素有“百刃之君”的美称。战争是古代各个诸侯贵族对外掠夺、对内镇压进行争夺地盘的重要手段之一,因此各个诸侯对武器的开发与改进就格外的重视。这时期兵器的进步,是与青铜冶铸业的发展紧密相联系的。由于商代青铜冶炼业的发达已经制作出了很短的青铜古剑,但到了春秋战国时期各国诸侯群战争势,为了强壮兵力和保护自己,各诸侯王竭力搜寻天下名匠铸造利剑。铸剑名匠欧冶子奉楚王之命铸剑,寻至浙江龙泉秦溪山麓,见此地山麓古木参天、湖水甘寒清冽,湖边有七口井,排列恰似天空北斗星座,水好利于淬火能增强剑的刚度,正是铸剑的好地方。龙泉山境内有丰蕴的铸剑材料铁英,还有一种名叫"亮石"的磨石,在这种石头上磨制出来的宝剑,寒光闪闪。正是由于这里具备了铸造宝剑的三大必备条件――铁英、寒泉、亮石,欧冶子遂于此定居铸剑。造出了以“坚韧锋利、刚柔并寓、寒光逼人、纹饰巧致”四大特色名誉天下的龙渊剑。至唐代为了避唐高祖李渊的名讳,以泉代渊,此后龙渊改为龙泉,龙泉就成了名剑的代名词。 二、宝剑在社会政治、经济、文化方面的承载和演变 作为早已失去实际功用的冷兵器,龙泉宝剑为何在今天仍受重视,并于2006年龙泉宝剑的锻制技艺被国务院批准列入第一批国家级非物质文化遗产名录,除了它独特的锻造技艺外,还有就是它其中蕴涵着弥久历新的中华剑文化。它是中国古代匠人、文人和武士在制剑、佩剑和舞剑的过程中逐渐形成的一道独特文化现象。随着社会政治、经济、文化等方面的进步发展,宝剑的功能也随之发生演变。 在中国远古时期,夏代的先民们熟练地掌握青铜冶炼技术,能铸造出用于生产和生活各方面的器物,青铜铸剑也自然产生了。至东周青铜铸剑技术在不断探索逐渐进步之中,制作宝剑的型制规范开始产生。据《周礼・考工记》中记载了宝剑制作的大小、长短、并不同等级人士的佩带规矩。青铜剑质硬而脆,剑身过长则易折断,因此我们现在所看到博物馆里陈列的青铜剑长均不过二尺,最段的只有一尺。在西周初期的车战组合中,剑的地位并不重要,主要用于自卫或肉搏。春秋之后,因为步兵的兴起,剑作为一种武器开始受到重视。尤其是在吴越地区,因水道纵横,车行不便,而使剑的步兵却能发挥出很大威力,所以铸剑水平远高于中原诸国。战国时,随着车战的式微,宝剑作为一种步兵武器受到更大的重视,为适应战争的需要,提高剑的威力,铁剑自春秋晚期开始出现。铁,在未能锻炼成钢以前,不能作为上等兵器的原料使用。原因是未锻炼成钢的铁,品质不如青铜且易于氧化,我国古代的人工冶铁,大致始于西周晚期,春秋战国之交时期进入到高速发展时期。因此,春秋时期,是我国铁器时代的初期阶段,在某种意义上也可以说是“铜铁并用时期”。 到了战国时期的秦国冶炼技术先进,铁剑开始大兴。首创将铁锻炼成钢的揉钢技术:用纯铁渗碳后对折,多层叠打。剑峰淬火而剑脊不淬火,不断冶炼、锻打、淬火,颇似揉面,使铁百炼成钢。战国后期,秦国已是青铜剑、铁剑并用,剑身也增长至三尺左右,故谓“三尺剑”亦即宝剑的另一称呼。秦国因着新型战争武器铁剑的大量使用故兵力增强扫灭六国,剑取天下,统一了中国。由此可见,宝剑在政治上的突出贡献。 剑乃短兵之祖,近博之器,剑多佩有鞘,型美身轻,便于携带,多被用做防身之器。被古人视作身份、智慧和勇武的象征,名士贵族剑不离身。但在等级森严的传统社会,个人不可随心所欲地佩剑,东周时期佩剑制度还是比较严格,从剑的尺寸长度和剑具形式材质上能直接反映出等级。据唐代徐坚等纂《初学记・武部・剑》记载:“古者天子二十而冠,带剑;诸侯三十而冠,带剑;大夫四十而冠,带剑;隶人不得冠,庶人有事得带剑,无事不得带剑。”汉代,剑术精备,文人武士皆喜欢斗剑,以示兼备之才。舞剑是伴随着古代士兵对外征战而兴起的,战斗之余,为了放松精神,负责宣传鼓动的士兵持剑在手,兴奋地跳将起来。有时是纯粹的即兴或滑稽表演,有时扮成敌我双方,以打败和擒获敌人而告终。成语典故“项庄舞剑,意在沛公”证实了古代剑术在政治谋略中所发挥的作用。西汉时期的骑兵已经成为战争的主力。由于马速度快,宝剑在战争中的推刺功能已经没有多大的意义,而大刀的劈砍功能十分适用,于是在西汉时期,出现了环柄的长刀取代了宝剑在战场上的作用。自东汉以后,宝剑在战场上被淘汰已成定局,但佩带宝剑的风气未变。宝剑抛开充当开疆拓土的利器角色以后,逐渐演化成了百姓文化基因中不可或缺的组成部分。隋唐时期宝剑逐渐由“兵器”演变成“礼器”,剑的用途开始趋向于人们精神层面的需求。自唐开始,佛道、神仙、妖魔、鬼怪等说盛行,宝剑演变为居家镇宅避邪之器,作为法器或象征物而存在,家悬一剑,以为祥和。从中我们可以看出中国文化在宝剑上止武从礼的文明烙印。宋代市井文化昌盛,社会富裕,街头频现舞剑、耍剑之绝技,发展出套路样式的剑术表演技艺,影响至今在当代武术剑式中颇见渊源,而今天的剑舞则更多地成为一种仪式和传统文化的展示。至明代,在各派武学基础之上创造了不少珍贵的剑法,为后世剑术的发展提供了有益的素材。清代,乃剑术集大成时期,将历代剑术予以总结,根据不同的练法形成不同的剑法,可谓博大精深。 剑经常出现于古诗词中,如三国时,曹植就有“美玉生磬石、宝剑出龙渊”的诗句。宋代辛弃疾的“醉里挑灯看剑,梦回吹角连营。八百里分麾下炙,五十弦翻塞外声,沙场秋点兵”的豪情。古人讲求文武兼备,所谓琴心剑胆。琴心指对音乐内涵的颖悟与理解,而剑胆则是对英雄精神的诠释,代表着中华传统文化体系的强悍与勇武。唐代诗人李白有“宁知草间人,腰下有龙泉”之句,说明唐朝的士兵和民间的文人雅士都是普遍崇尚龙泉宝剑。“万里横戈探虎穴,三杯拔剑舞龙泉?”自是他剑侠形象的写照。可以说,宝剑已不单为战斗和防身的工具,而且成了中华民族文化的一个载体。文人雅士多将剑与风雅之物相论,原本作为凶器的剑在中华民族传统文化的熏陶下更成为高洁情操、积极进取精神的代表。作为一个民族别具一格的文化象征,宝剑的光芒和它所映射出的灿烂文化内涵,将永远闪烁在中国人的精神深处。 三、龙泉宝剑的工艺与艺术特色、 我国历史上名剑辈出,宝剑之所以选择龙泉作为它自己的故乡,延续有二千多年的历史,使龙泉成为宝剑的代名词,不但是因为浙江龙泉的地理风貌决定的,更重要的是它宝贵的工艺特色。 唐朝诗人郭震任通泉尉时,武则天召见他,要看他写的文章,他呈上歌颂龙泉的《宝剑篇》。全诗如下:“?君不见昆吾铁冶飞炎烟,红光紫气俱赫然。良工咨嗟叹奇绝。琉璃玉匣吐莲光,错镂金环映日月。正逢天下无风尘,幸得周防君子身。精光黯黯青蛇色,文章片片绿龟鳞。非直结交游侠子,亦曾亲近英雄人。何言中路遭弃捐,零落漂沦古狱边。虽复尘埋无所用,犹能夜夜气冲天。”这首诗生动地描写了龙泉宝剑的艺术特色。 当代龙泉宝剑仍然沿袭传统手工工艺制作,传统工艺是龙泉宝剑艺术的根。龙泉宝剑的传统工艺凝聚了历史上铸剑名师的心血和智慧。当代龙泉宝剑自重新拾取传统工艺制作方法以来,并未因当今科技的发达而采用现代化的制作手段,而是把传统制作手法作为宝剑的灵魂和制作传承的血脉。龙泉宝剑在充分尊重传统制作的基础上,汲取现代优良的工艺,融入现代审美意识,在剑身制作上仍然采用千锤百炼的手工热锻、冷锻方法,加上更为先进的热处理技术。在对剑鞘的加工和雕刻上,也是采用手工制作,宝剑形成成品的过程有300多道工序,每一道工序都是手工操作,没有留下机器的痕迹。 当代龙泉宝剑在长期的发展过程中,历经数代铸匠名师的刻苦钻研,至今依然在产品质量上保持了传统龙泉宝剑的四大显著特点,就是坚韧锋利、刚柔相济、寒光逼人、纹饰巧致。宝剑斩铜如泥,1978年,在我国工艺美术界两次全国性集会上,龙泉宝剑的制作艺人曾当众表演。用一把龙泉宝剑,毫不费力地将叠在一起的六个铜板劈成两片,而剑刃不卷。如将一把轻型宝剑沿着人体腰部弯曲,卷成一个圆圈,松开后宝剑恢复挺直如故。古代的龙泉宝剑用生铁铸造,现在则用中碳钢铸造,加之淬火工艺恰到好处,使宝剑剑身柔韧而又弹性,以至达到刚柔并济的工艺特色。把数种不同的铁熔化复合,再反复千锤百炼般折叠锻打,在不断地折叠锻打中去除杂质,增加剑身的强度和韧性。因为各种铁的含碳量不一,最后落在剑刃上的颜色也就深浅不一,显出了自2500年前的欧冶子开创的龙泉宝剑著名的艺术特色――花纹钢。加上用龙泉境内特有的宝剑打磨制作用磨石。在这种亮石上磨制出来的宝剑,从各个角度看过去都显得流光异彩、寒光逼人。龙泉宝剑全靠手工锻制,一堆铁英、一眼泉水,用打坯、热锻、铲、锉、镂花、嵌光、淬、磨、刻、装潢等几十道工艺程序千锤百炼、百炼而成钢…… 一柄柄渗透着寒光与灵气的宝剑就这样在龙泉铸匠师鬼斧神工的磨砺下横空出鞘。若是七星宝剑,在剑身上还刻有七星图案。在剑身上刻花,这也是龙泉剑的一项绝技。工匠们用一把钢凿在宽不盈寸的剑身上直接刻凿,刻好后浇上铜水,经铲平加磨,七星图案就自然地留在了剑身上。再配以世界稀有的当地特产花梨木做剑鞘和剑柄,不必加漆而显古色古香,越用越亮, 使宝剑从剑质到外观相得益彰,蜚声国内外。 四、在传承中创新发展的当代龙泉宝剑 龙泉宝剑的外观工艺处理至今仍是一项引以为荣的技术。其中包括宝剑的表面处理,分为乌黑亮泽的防锈层与宝剑表面如流水之波浪的暗花纹;和金属的摺叠技术,这种技术巧妙地克服了同时保持刀剑硬度和柔韧度的矛盾,使龙泉宝剑呈现刚柔并济的特色,该技术沿用至今。 从古到今龙泉宝剑都有着极大的国际影响力。从世界范围看, 剑的种类较多,大体可分两大剑系:一是欧美剑系,我们称其西洋剑。二是亚洲剑系,其又可细分为几个门类,如中国剑、印度剑、阿拉伯剑、马来剑和日本剑。其中中国龙泉宝剑在亚洲剑系中已形成一道独特的文化。但是龙泉宝剑在大众老百姓心目中的认识度还不高,另外还存在一些缺陷,比如不同的师傅却使用相同的配件、研磨与表面处理功夫没有大的突破、仿造之风未见改善、配件粗糙,不注意细节,给人印象是精致不够。所以目前除了要做好龙泉宝剑这一品牌,大力进行文化宣传,促进民族品牌的可持续发展,同时要竭力提高自身的产品质量和艺术品位。展现当代亚洲顶尖艺术精品水平,丰富我国民族手工制造业,开辟精品艺术市场,促进国际剑文化交流。 作为非物质文化遗产是需要传承和延续的。随着新世纪我国人口流动性加大、社会经济发展和都市化趋势加快,都需要优秀的传统文化技艺走入公众眼中,让更多的人们都来认识和保护我们珍贵的非物质文化遗产。目前这项技艺是靠家族个人传承和宝剑工厂群体技术工人的传承。大部分是来自龙泉本地的手艺传承人,比如长期从事刀剑锻造的名匠陈阿金、沈新培、周正武;2009年2月创办龙泉剑村刀剑研究所的胡小军;率先利用网络营销并取得成功的龙泉宝剑厂厂长张胜叶等等。 近现代浙江龙泉宝剑,在继承发扬中国传统文化的同时,创新、改革是其发展的主旋律。面对当前世界资源的竞争日益激烈和贸易保护主义逐渐膨胀的情况下,应用我们民族的文化艺术来创新商品。以文化的高附加值商品来提高我国的文化事业和经济,进一步推广传统艺术教育。宝剑工艺的继承与创新,使浙江龙泉宝剑在中国近现代工艺美术史上依然保持着强劲的发展势头。 在中国的十八般冷兵器当中,却只有宝剑从遥远的春秋战国时代流传至今,它之所以能在中国文化艺术的长河中历久不衰,最主要的一点就在于其蕴涵着中国人侠义文化的理想气质,并代表着社会中正义崇高的价值判断,符合了中国历代文人天马行空、独立不羁的气度和文化精神的想象。悠久的历史、神奇的传说、四射的寒光和锐利的锋芒,流传至今的龙泉宝剑仍然承载着中国文化精神。

文艺风时刻杂志

最小说 文艺风象（文艺风象是落落主编的 治愈系小清新 元一本月刊 图片插画都非常精美 内容也不错 特文艺 像画册一样）文艺风赏是有点黑暗的感觉吧 南叶仙度瑞拉 里面都是小说 小清新的较少吧

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篆刻艺术相关的毕业论文题目

篆刻艺术的欣赏中国文化源远流长，而最具传统的中国书画又以诗、书、画、印“四绝”著称于世。其中的印，即印章堪称中国艺林的一株灵草，方寸之间、气象万千。经过历代的流传和文人墨客的继承发扬，如今它已形成为一门篆刻艺术，由于其有独特的实用价值和艺术价值，深受广大人民群众的喜爱。我们这里所讲的“印章”，不是诸如个人私印或单位用的公章等具有实用意义上的工艺学概念的工具，而是基于诗、书、画、印，具有精神取向的艺术欣赏的篆刻符号。是人们感悟艺术美的一种形式，因而篆刻作品作为一门艺术受到世人钟爱。随着人们物质生活的丰富和多样化，人们对精神生活有了更高的要求。如何理解和欣赏篆刻艺术作品，感悟篆刻作品的内在精神美，笔者认为可从下面几点入手：一、深入浅出、溯流求源 印章一道，始于殷商，兴于秦汉、盛于明清。篆刻印章的鉴赏，简言之，宋元以前以时代论风格，明清以后以流派论成就，重在个人风格。作为篆刻艺术欣赏的前提，我们应遵循“深入浅出、溯流求源”的法则。我们所欣赏的篆刻艺术，从表面上、视觉上感受到的是一枚枚朱红的印迹。然而它却有着丰富的内涵和渊源，它集中表现了中国书法、印学学理、特殊的材质等诸多内容，而后由特殊的人枛枛有着较高的传统艺术修养以及印学修养的人充当主体，使这种形式变成了一种纯粹的审美行为。透过印章的表面，体现出中国艺术家博大精深的审美精神与审美情感，幅射着中国艺术之魂。所谓深入浅出，就是要先从识别中国古文字起，特别是识别篆书字体、结构，观摩陶器花纹枛枛铜鼎器铭文枛枛秦砖汉瓦、封印枛枛竹简枛枛碑文古玺等作为提高欣赏能力的知识积累，培养艺术欣赏的兴趣。因为印章的出现，最初并非因为可爱好玩，而是因为有用。从殷商交换的凭证，到秦汉时代政治权力的标志，它的功能是实用的。唐宋之际，收藏风兴起，于是出现了签藏印、斋馆别号印等，印章似乎跻身于审美领域了。印章发展到明清之际，形制日趋完善，但篆与刻还是有分工的，明代文彭的出现，起到主导由艺术家代替匠人的作用，自篆自刻，跳越了艺术创作的龙门，悠然腾身于诗、书、画之间，在操作上完成了从篆到刻一气呵成的直接创造；在性质上实现了从实用到赏玩的价值转换，从此，篆刻以纯艺术的身份参与到我国的审美历史中。可以这样认为，印章的历史，始于殷商；印学的历史则始于明代的文彭。文彭之后，我国的艺术领域中才有了一个新的独立学科枛枛印学，方才有众多的痴痴耕石的篆刻家，使印章这古老之树春意盎然。既然篆刻进入到艺术领域中，那么它的艺术价值就必须具有欣赏性，即“可爱玩”。一方好印必定要“耐玩”才行。而“耐玩”的东西不仅要美，更要有“气味”。绘画求“气韵生动”，而印将“气”、“韵”都落实到“味”上。具体的讲落实到篆与刻的两个过程之中，我们欣赏一方印章，不在乎是闲章还是官印，不在乎是吉语印还是鉴藏印，关键在于：印文、章法、刀法这些要素，因为由此可见到作者的天赋与修养功底。综上所述，我们得知篆刻的欣赏要从溯流求源入手，即从了解，认识汉印开始。一般来讲，自刘邦兴汉至魏晋、南北朝这个时期，流传下来的印章从风格到采用的字体，无论形式、内容变化都不大，根据近代印人的习惯，就形而论，一概视为“汉印”。汉印的艺术风格和特征表现在：１、逐渐取消了印的界格；２、印文使用了形体屈满、方正、线条平直、变化有致的缪篆。通过笔画的申张、盘回、增减、挪移、穿插、变形等不同的处理设计，把印面上没有界格的大小、长短和方园不等的印字，根据印的不同形状调理得非常妥贴。３、在一方印章中篆法是表现章法的主要组成部分，使汉印成为肥不臃肿，瘦不枯槁的形态。展现出一副布局严谨、布白匀称、虚实均衡、气势雄壮的构图。通过掌握上述汉印的特征，增加了欣赏水平，最后归纳为鉴赏三部曲，即书法、刀法、章法。概括的讲，欣赏篆刻作品，章法是关键、书法（指篆书）是基础，刀法是技巧。优秀的篆刻作品，首先在视觉上给人的印象是章法即朱白分布，文字结构与整个印文的会意贯通。从其中可以透射出作者的审美观和创造才能。可以说是“方寸之间，气象万千”。篆刻家的艺术素养及悟性跃然纸上。这样的作品，其章法、书法、刀法所蕴含的内质就高，风格也就传统、独特，形式上也就耐人寻味，因而有着源源不竭的生命力。二、超凡脱俗，返璞归真 在艺术发展史上，无数事实表明，智者对美的感悟力都是相近的。在基本掌握了篆刻作品的欣赏能力之后，如何深刻理解篆刻作品的功力及内涵就摆在了我们的面前。由于“诗、书、画、印”被称为中国艺术的四绝，所以对印章的欣赏就要扩大提高理论水平，即不但要从印章的表面形式探讨技法、章法，还要借鉴，学习其它艺术的欣赏方法，如观摩书法、绘画、雕塑、音乐、文学等，要阅读这些诸如“篆刻学”、“汉印文字徵”之类的专业书籍，藉以提高个人的艺术修养素质，达到超凡脱俗、返璞归真的境界。所谓超凡脱俗，就是在欣赏印章时注意到作品的情感空间；是浑厚、雄壮还是萧散、悲切，是紧张凝重还是轻松、自由。能够看出作品由疏缓到急促的流变，由外到内的、骤然的、活动点与静态块面的波动，而最终归向原始情感。沃尔特·佩特曾说“所有的艺术都在不断地向着音乐的境界努力”。当时间形式由远近不同的跳跃，表现为有规律的节奏；空间形式由粗砺与优雅、不安与宁静的组合演变为对称、呼应的节奏，我们的美的感受则极为自然地由对音乐的感受移向对装饰趣味的感受。它不但唤起了视觉的欲望，更激发了大脑思维的欲望，从而触发引导读者的艺术想象。这样的作品就达到了“取精用宏、印外求印”的新境界，完成了“追摹古人得高趣，别出新意成一家”的创作过程。这一最终结果也就是篆刻艺术在进行冷静的思考后，通过艰难的风格蜕变周而复始，返璞归真的历程。综上所述，篆刻艺术的欣赏，已经涉及到了印章艺术的实质，并以汉印为例，分析了构成汉印艺术的一些基本特征，使人们认识到篆刻何以具有深厚质朴美的原因所在，完成了印章的审美过程。总之，篆刻艺术作为一门专门艺术受到世人越来越多的关注，得到国内外众多爱好者的欣赏，为了便于理解和欣赏，现将篆刻艺术作如下归纳，作为共同的探讨。仔细写印，结构严紧。疏可跑马，密不容针。方中有园，运刀稳准。外柔内刚，绵里藏针。肥不臃肿，瘦中有筋。宁拙勿巧，浑厚圆润。快狠奏刀，痛快漓淋。不加修饰，自然天真。小玺神定，巨印雄浑。继承传统，推陈出新。

去数据库看看 输入篆刻二字 应该会有很多关于篆刻论文名字的 然后再去百度看看 很多网上数据库是要钱的 所以可以去免费的大型图书馆试试 专著嘛 沙孟海的《印学史》貌似比较经典 其他什么邓散木的《篆刻学》，什么什么的篆刻技法多少多少讲啊的也可以适当参考

集成电路光刻工艺研究论文致谢

简短的论文致谢词（精选9篇）

论文致谢词用于论文的结尾处，写在正文末与参考文献之间，用于表达对论文完成过程中给予关怀与帮助的相关单位与个人的谢意，让我们一起认真地写份论文致谢吧。写论文致谢需要注意哪些问题呢？下面是我为大家整理的简短的论文致谢词（精选9篇），仅供参考，大家一起来看看吧。

本研究及学位论文是在我的导师张爱民教授的亲切关怀和悉心指导下完成的。他严肃的科学态度，严谨的治学精神，精益求精的工作作风，深深地感染和激励着我。从课题的选择到项目的最终完成，张老师都始终给予我细心的指导和不懈的支持。张老师不仅在学业上给我以精心指导，同时还在思想、工作上给我很多宝贵的建议，在此谨向张老师致以诚挚的谢意和崇高的敬意。

在此，我还要感谢我们一起学习交流的20XX届各位同门，正是由于你们的帮助和支持，我才能在论文迷茫和疑惑的时候得到解答，并且始终有着精神上的鼓舞。

在论文即将完成之际，我要再次感谢我的尊敬的导师以及其他教导过我的老师们、我亲爱的同学们，有了你们，我的论文才能更加顺利的完成，我在学校两年的学习生涯才更加完整，我学到的东西除了得之于书本，更少不了你们的言传身教以及日常交流。

再次感谢你们！

衷心感谢我的老师吴雪副教授，在做毕业论文斯间对我的学习、生活给予关怀指导，老师严谨的治学态度和独特的见解让我深受启发，每一次龄听老师的教诲都给我带来新的动力。从中我深刻的体会到，完成每件事情要有清晰的思路，并要善于发现归纳总结，要抓住机会和别人进行交流与探讨，在分享与接受批判的过程中提高与成长。

同样由衷的感谢校外导师尚志红高级工程师对我工作上的悉心指导，在我从事科研工作中为我指明方向，答疑解惑。老师严谨求实的工作作风，敏锐的思维，渊博的学识给我留下了深刻的印象，也为我今后的工作树立了目标和典范。同时感谢杜文婧同学、赵亮同事在毕业论文过程中给予我的巨大支持和帮助，感谢与我一起学习、工作的各位同学、同事在研究生学习阶段中给予我很多的帮助与勉励。还有，要感谢我的家人和朋友对我的工作学业上的鼓励和关爱。

最后，向在百忙之中抽出时间来评审本论文的专家、教授致以诚挚的谢意!

在此毕业论文完成之际，我首先要感谢我的论文指导老师，他是一位认真负责，热情的老师，在整个毕业论文的撰写过程中，他都对我进行了认真的指导和详细的修改，从他的身上我也学到了很多，比如说严谨认真、一丝不苟的工作作风。我将永远记住他曾经给予过我的教导，我要向指导老师表达我内心最崇高的敬意和最衷心的感谢!

同时我还要感谢所有代课老师和辅导员，在我大学四年的学习和生活过程中，这些老师给予了我很多的教导和很大的帮助，从他们身上我学到了很多做人的道理，将使我受益终生。

感谢我的家人和好友，他们的关爱和支持永远是我前进的最大动力，在任何时候，他们都给予我最大的鼓励和支持，我感谢他们!

最后，向审阅我论文和参加答辩的老师们表示衷心的感谢，感谢你们抽出宝贵的时候参加我的论文答辩会，感谢你们对论文不当之处提出的宝贵意见和建议。

光阴荏苒，如白驹过隙。由刚入大学时的喜悦与忐忑，到现在我的大学生活已经接近了尾声，在这四年的学习生活中，老师和同学的帮助让我收获了很多，也让我对自己的未来有了很多的感悟。感谢我的父母，可爱的父亲，可敬的母亲，你们的爱是我最大的财富，伴随我走过四年求学之路。

经过几个多月的忙碌和工作，本次毕业设计即将完成，本论文是在我的指导老师的指导下完成的，从论文的开题到写作，老师的适当点拨与独到的分析使我受益匪浅。每次对于我的疑问给予细心的解答并给出写作建议，对我每次上交的论文都给了详细的修改建议，指出了一些错误和要修改的地方，让我的论文结构一步步的完善，内容日趋丰满。没有老师的指导帮助，这篇论文是不会这么快就很好的完成的，对于老师悉心的帮助，表达无比的谢意。

时间飞逝，大学的学习生活很快就要过去，在过去的学习生活中，收获了很多了，而这些成绩的取得是和一直关心帮助我的人分不开的。

毕业论文暂告收尾，这也意味着我在武汉工程大学邮电与信息工程学院的四年的学习生活既将结束。回首既往，自己一生最宝贵的时光能于这样的校园之中，能在众多学富五车、才华横溢的老师们的熏陶下度过，实是荣幸之极。在这四年的时间里，我在学习上和思想上都受益非浅。这除了自身努力外，与各位老师、同学和朋友的关心、支持和鼓励是分不开的。

因此，我特别要感谢我的导师XXX老师。从论文的选题、文献的采集、框架的设计、结构的布局到最终的论文定稿，从内容到格式，从标题到标点，她都费尽心血。没有刘老师的辛勤栽培、孜孜教诲，就没有我论文的顺利完成。同时我还要感谢在我学习期间给我极大关心和支持的各位老师以及关心我的同学和朋友。

后衷心感谢在百忙之中抽出时间参加答辩的各位专家、教授，谢谢你们!

时间飞逝，大学的学习生活很快就要过去，在这四年的学习生活中，收获了很多，有欢笑有泪水。而这些成绩的取得是和一直关心帮助我的.人分不开的。

一路走来总是磕磕碰碰不断，还好周围一直有一群时刻关心我照顾我的人。首先衷心感谢对在编写过程中周一老师以及助教江俊本着诲人不倦、认真细致、严谨求实的态度给及我极大的关怀和帮助，并竭尽所能的给我提供论文所需要的相关资料，对于在论文中所遇到的问题也给予了很多宝贵的意见，对我论文的写作提供了很大的帮助。在此我表示深深的敬意。

其次，我要感谢王平辉、全亮等同学所提供的论文所需要的资料，同他们的讨论也让我受到了很大的启发，他们的开放和严谨的思维方式让我受益匪浅。感谢他们在我论文期间给予的关心和帮助。

最后感谢所有关心、支持和帮助我的朋友和老师。

值此论文完成之际，谨向所有支持、关心和帮助过我的师长、家人和朋友们表达由衷的谢意!

首先，我要特别感谢导师郝晓雁教授。从本论文的选题、提纲的拟定、文章结构布局到论文的撰写与修改等过程，无不凝聚着郝老师的心血。当我遇到困难时，总能得到郝老师的指导和支持。在与郝老师沟通的过程中，我的写作思路一次次被更新。郝老师渊博的学识、严谨的教学态度和亲和的人格魅力，将使我受益终生。

其次，我要感谢山西财经大学会计学院的领导与老师们，感谢他们为我提供的无私帮助与指导。从他们身上我学到了为人处世等书本外的生存技能。感谢本文所引用文献的作者以及在百忙中抽出时间对本文提出宝贵修改意见的各位评审专家。

最后，我还要感谢我的家人和朋友，在写作过程中，我的家人和朋友给予我很大的支持。总之，我要感谢所有曾经帮助过我的人，为他们送去最真诚的祝福。

论文完成，三年的研究生生活即将结束，感慨万千！

首先，感谢我的导师张力教授，论文致谢词范文。三年来，我时刻体会着张教授严肃的科学态度，严谨的治学精神，精益求精的工作作风，我想这是够我一生受用的人格魅力。从专业课学习，课题选择、开题，到系统开发、论文写作，整个过程，张教授都倾注了大量的心血。正是在张教授科学、严谨的指导下，我的研究课题才能顺利进行，这篇研究论文也才得以顺利完成。张教授是我有生以来遇到的最钦佩的老师之一。张教授不仅在学习上对我严格要求，在日常工作和生活中也给予我非常多的帮助和意见，给予我很多的宽容、理解。再次向我的导师张力教授表示深深的敬意和感谢！

感谢上海外国语大学的XX教授和华东师范大学的XXX教授，本研究从选题到论文完成一直得到了胡教授和徐教授的悉心指导。

光阴茬再，三年的时间转瞬即逝，学位论文的完稿将为我的研究生学习生活画上一个句点。回想初到山西大学结识新同学、聆听老师的教诲各种美好的回忆历历在目。

首先，我由衷地感谢我的导师王臻荣教授。从初进山大聆听王老师的教诲，到近一年中王老师在百忙之中对我的论文的悉心指导，王老师严谨的治学态度、一丝不苟的工作作风以及待人真挚的品格，给我留下了终身难忘的印象，将使我受益终身。在此，特向恩师致以深深的谢意和崇高的敬意!

其次，在三年的学习中，感谢政治与公共管理学院的各位老师对我的关心和在平时的学习中给与的指导和帮助。

再次，感谢我的同窗好友，为我的人生画上浓墨重彩的一笔。三年的学习生活，让我们结下深厚的友谊。

另外，在这三年的学习中我收获的不仅仅是学业上进步，收获的更多的是生活和人生的财富。过去的三年时间，是一个亲切的怀念，感谢所有陪伴我一起成长的老师、同学、同事和亲人。

论文致谢词一般是用于实践 报告 、论文的结尾处，用来感谢在论文写作过程中支持、鼓励、帮助过自己的人，让我们坐下来好好写写论文致谢吧。下面是我为大家精心整理的论文感谢致辞5篇，希望对大家有所帮助。

论文感谢致辞篇1

大学三年学习时光已经接近尾声，在此我想对我的母校，我的父母、亲人们，我的老师和同学们表达我由衷的谢意。感谢我的家人对我大学三年学习的默默支持;感谢我的母校----给了我我在大学三年深造的机会，让我能继续学习和提高;感谢----的老师和同学们三年来的关心和鼓励。老师们课堂上的激情洋溢，课堂下的谆谆教诲;同学们在学习中的认真热情，生活上的热心主动，所有这些都让我的三年充满了感动。这次 毕业 论文设计我得到了很多老师和同学的帮助，其中我的论文指导老师---老师对我的关心和支持尤为重要。每次遇到难题，我最先做得就是向---老师寻求帮助，而---老师每次不管忙或闲，总会抽空来找我面谈，然后一起商量解决的办法。

我做毕业设计的每个阶段，从选题到查阅资料，论文提纲的确定，中期论文的修改，后期论文格式调整等各个环节中都给予了我悉心的指导。这几个月以来，-老师不仅在学业上给我以精心指导，同时还在思想给我以无微不至的关怀，在此谨向-老师致以诚挚的谢意和崇高的敬意。

同时，本片毕业论文的写作也得到了--、--等同学的热情帮助。感谢在整个毕业设计期间和我密切合作的同学，和曾经在各个方面给予过我帮助的伙伴们，在此，我再一次真诚地向帮助过我的老师和同学便是感谢!

论文感谢致辞篇2

感谢浙江电力试验研究院---博士对我兄长般的关怀与帮助，感谢我的挚友、南瑞继保电气有限公司高鹏硕士在我论文写作期间给予的鼓励和支持。还要特别感谢魏琳琳、朱韬析、孙可、朱承志、王志勇、周满、黄乐、梅天华、张武军、郑圣等同窗好友，与他们的共同交流让我学到了很多专业以外的知识，让我的大学生活充满乐趣。

感谢我的女友对我默默无闻的支持与帮助，与她携手走过的日子充满了欢笑和幸福，衷心地祝愿她前程似锦、笑靥永绽!

感谢舒高军先生，在我求学在外9年间，给予我家人的照顾与帮助。

在浙江电力调度通信中心实习的两个多月里，得到了省公司及调通中心各位领导和同事的关怀与照顾，使我能够较快地适应调度岗位的工作，在此致以诚挚的谢意!

最后，感谢我的父母、亲人，养育之恩无以为报，唯有用更大的成绩和进步，才能不愧对他们多年的无私关爱。

论文感谢致辞篇3

时光飞逝，转瞬间本科生生涯即将结束。回顾在浙江工商大学的四年年的学习和生活，我收获了很多，也成长了很多。一路走来，有太多的人需要感谢。

首先，我要向我的导师张宜霞副教授致以最诚挚的谢意!感谢张老师对我的悉心指导和关怀。这篇论文的完成离不开张老师的细心指导，从论文的选题、构思到撰写和修改，无不凝结着张老师的心血，感激之情难以言表!张老师严谨的治学态度、渊博的学术知识使我获益匪浅!师恩似海，学生将永生难忘!

其次，我还要感谢许永斌教授、裘益政教授、陈高才副教授和谢诗蕾副教授等为本科生授课的老师们!感谢叶雪芳教授、王宝庆教授、马笑芳副教授和李秋茹老师在开题以及定稿时给予我的指导和建议。在此，祝福老师们工作顺利!

感谢我的室友和同学，他们的陪伴和帮助使我的学习与生活充满乐趣。最后，我要感谢我的父母。二十多年来，他们含辛茹苦，一直默默地奉献，承受太大的生活重担。正是他们无私的支持和鼓励，才使得我能专注于学习，顺利完成学业。

最后我还要感谢在百忙之中评审这篇论文的各位专家教授!

论文感谢致辞篇4

在本次论文设计过程中，感谢我的学校，给了我学习的机会，在学习中，老师从选题指导、论文框架到细节修改，都给予了细致的指导，提出了很多宝贵的意见与建议，老师以其严谨求实的治学态度、高度的敬业精神、兢兢业业、孜孜以求的工作作风和大胆创新的进取精神对我产生重要影响。他渊博的知识、开阔的视野和敏锐的思维给了我深深的启迪。这篇论文是在老师的精心指导和大力支持下才完成的

感谢所有授我以业的老师，没有这些年知识的积淀，我没有这么大的动力和信心完成这篇论文。感恩之余，诚恳地请各位老师对我的论文多加批评指正，使我及时完善论文的不足之处。

谨以此致谢最后，我要向百忙之中抽时间对本文进行审阅的各位老师表示衷心的感谢。

论文感谢致辞篇5

这几年，我一边工作，一边学习，课题、论文堆积在一起，压力一直驱使我向前迈进。我很幸运，有导师林仁川教授对我的宽容和关爱，有各位老师和同事的支持，经过多年的努力，我终于完成了博士论文。在学习和写作博士论文的过程中，我努力以历史学的规范来要求自己，这主要是台湾研究院历史研究所的老师严谨的治学作风对我的影响和教导作用。我时时刻刻都牢记周翔鹤老师的忠告，“博士论文一定要认真写，要写出水平”。虽然结果未必尽善尽美，但是写作的过程给了我许多难得的收获和 经验 的积累。这对于我以后进一步提高台湾研究的水平，让我在台湾研究的领域更上一个台阶，是一项鞭策，是一股动力，也是一份收获。

应当说，博士学习阶段的训练是一段很重要的经历，对我的一生都是宝贵的财富。感谢导师林仁川教授的厚爱，不辞辛劳，一字一句地批阅我的博士论文。感谢历史研究所邓孔昭教授、李祖基教授、周翔鹤老师、陈小冲老师等等许多师友的教导和支持下台湾研究院秉持“历史地、全面地、实事求是地认识台湾，促进海峡两岸学术交流，为祖国统一大业服务”为宗旨，是指导我学习、研究和工作的原则和精神。感谢台湾研究院领导和同事的理解和支持，使我能够在工作的同时，完成学业。

这几年，我的家人的支持和鞭策也是促使我完成学业的重要动力，我的妻儿始终关注和支持我的学业，我的父母和长兄也不时敦促我加紧论文的写作，我要感谢他们无私的支持和关爱。

我也要谢谢一直关心和支持我的朋友，包括台湾夏潮基金会的宋东文董事长、高雄辅英科技大学的苏嘉宏教授、彰化师大的李毓峰老师，由于他们的支持，使我得以顺利到台湾进行短期研究，查找和收集相关资料。感谢所有支持和关注我的博士研究生阶段学习的老师、同事、同学和朋友，你们的支持是我学习和工作的最大动力和助力。谢谢大家!

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