中国论文数量不断增加的原因分析报告

中国论文数量不断增加的原因分析报告

2013年我国SCI论文数量位居世界第2位，发明专利授权量位居世界第3位。SCI论文是被SCI（Scientific Citation Index，《科学引文索引》）收录的期刊所刊登的论文，目前我国科技界对SCI论文概念模式，小部分研究者误认为SCI是一本期刊，由南京大学引用并成为各大高校和科研机构学术评价和奖惩的一类刊物。SCI论文本身来说，我国科研工作者大多面临英语能力匮乏的缺陷，尤其对于年龄大和专业性强的科技工作者来说，内容不是问题，英语往往成为了制约的瓶颈。SCI论文对我国大部分科技工作者来说依然是神秘的，难于发表的，正基于此，大部分科研机构、高校等单位引入作为评价标准，这也是有失公正，虽然缺少人为干预的评价标准，但科研工作者在工作的同时，不得不将精力浪费在于SCI论文的写作与发表。虽然使得我国科研可与国际接轨，培养我国科技工作者运用SCI官网进行现有论文和科技成果的查询与搜索的习惯，但制约了我国的科技水准，使科研人员不得不分出一部分精力用在外语上，使大量优秀研究成果流入英文期刊，破坏了中文期刊的发展，降低了中文在科技领域的“币值”。如是指国知局的话，在申请人递交的技术专利当中，并不是每个申请都能授权的。尤其是发明专利。审查特别严格。如果您的技术存在一些问题，国知局就不会给于这个技术授权专利的。如是可以授权专利技术，那国知局就会先给申请人发一份授权通知书。拿到了授权通知书就相当于这个技术已经成为专利了。就等着下专利证书就可以了扩展资料：SCI创立背景SCI（Scientific Citation Index）是美国科学信息研究所（ISI）编辑出版的引文索引类刊物，创刊于1964年。分印刷版、光盘版和联机版等载体。印刷版、光盘版从全球数万种期刊中选出3300种科技期刊，涉及基础科学的100余个领域。每年报道60余万篇最新文献，涉及引文900万条。进入SCI这一刊物的论文即为SCI论文。影响因子SCI选录刊物的依据是文献分析法，即美国情报学家加费尔德提出的科学引文分析法。该分析法以期刊论文被引用的频次作为评价指标，被引频次越高，则该期刊影响越大。在一定时期（通常是前两年）内，某一刊物发表的论文，被已经进入SCI刊物的论文所引用的总次数，除以该刊物这一时期内的论文总数，即为该刊物的影响因子。一般来说每一年的6月份公布影响因子，影响因子并不是该年度，而是上一年度的影响因子！参考资料来源：中国经济网-《国家创新指数报告2013》发布:我国创新能力稳步上升百度百科-SCI论文百度百科-专利授权

意味着我国科研水平又上了一个台阶。其科研成果为世界所认可，并且在世界范围各自领域发挥了实用价值。也反映了我国科教兴国、科技强国战略的显著成绩。

第一，我国的顶尖科学家非常多，第二，他们在各个领域都有很多发现，第三，我国的科学技术水平在国际上处于领先，第四，中国人最善于写论文，第五，论文水平很高。

体现出我们国家的实力，说明我们国家论文还是很优秀的，人们发表的东西非常多，有很多的人才，科研水平有了进步。

中国论文数量不断增加的原因分析

我觉得这是作为中国人值得自豪的，这说明我们的科技科学领域在进步，在向前看，至少不再落后，也说明经过努力，我们的科学走在了世界的前面。

拟人把物当做人写，赋予物以人的言行或思想感情，用描写人的词来描写物。作用：把禽兽鸟虫花草树木或其他无生命的事物当成人写，使具体事物人格化，语言生动形象。如：桃树、杏树、梨树、你不让我，我不让你，都开满了花赶趟儿。

发表论文数量仅仅是基础研究的衡量指标，不能反映整个国家科技创新水平。即便是在基础研究领域，用论文数量或者用论文被引用数量来衡量一个国家的科研实力也是不够的。要看科学研究中对基本原理和研究方法的原创性有多少，独立开创的研究方向有多少。中国发表的SCI论文数量已经连续10年居于世界第二位，与第一位的美国旗鼓相当。截止2021年5月，中国已经反超美国占据榜首。

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本科毕业设计（论文）　　文献综述　　院 （系）：　　专 业：　　班 级：　　学生姓名： 学 号:　　年 月 日　　本科生毕业设计（论文）文献综述评价表　　毕业设计（论文）题目　　综述名称 注意综述名称（综述内容中不要出现本课题怎么样等等）　　评阅教师姓名 职称　　评 价 项 目 优 良 合格 不合格　　综述结构 01 文献综述结构完整、符合格式规范　　综述内容 02 能准确如实地阐述参考文献作者的论点和实验结果　　03 文字通顺、精练、可读性和实用性强　　04 反映题目所在知识领域内的新动态、新趋势、新水平、新原理、新技术等　　参考文献 05 中、英文参考文献的类型和数量符合规定要求，格式符合规范　　06 围绕所选毕业设计（论文）题目搜集文献　　成绩　　综合评语：　　评阅教师（签字）：　　年 月 日　　文献综述： 小四号宋　　空一行　　标题 二号黑居中　　空一行　　1 XXX 三号黑　　XXX 小四号宋，行距20磅　　1 XXXX 小三号黑　　XXX 小四号宋，行距20磅　　1 XXX 四号黑　　XXX 小四号宋，行距20磅　　空一行　　2 XXXX 三号黑　　(空1行)　　参 考 文 献　　(空1行)　　[要求按国标GB 7714—87《文后参考文献著录规则》书写，例如：]　　[1] 袁庆龙，候文义．Ni-P合金镀层组织形貌及显微硬度研究［J］．太原理工大学学报，2001，32(1)：51-53 ．（宋体五号，行距固定值20磅）　　[2] 刘国钧，王连成．图书馆史研究［M］．北京：高等教育出版社，1979：15-18，31．　　下面的是我的文献综述　　文献综述:　　FTO透明导电薄膜的溅射法制备　　1 前言　　为了更好的开展毕业论文及毕业实验工作，在查找和阅读与《DSSC用FTO透明导电玻璃的溅射法制备》相关的文献和资料，完成撰写了本文献综述。随着科技的日趋成熟，导电玻璃的制备方法也越来越成熟，种类也衍生得越来越多。　　本文章将对国内外的制备方法，种类，发展现状及趋势，工艺性能，退火处理对性能的影响等方面做一简要介绍。　　2透明导电玻璃的种类及制备方法简介　　1透明导电玻璃的种类　　1 1 TCO导电玻璃　　TCO（Transparent Conductive Oxide）玻璃，即透明导电氧化物镀膜玻璃，是指在平板玻璃表面通过物理或化学镀膜方法均匀的镀上一层透明的导电氧化物薄膜而形成的组件主要包括铟、锡、锌、铬的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料。　　2 ITO透明导电玻璃　　ITO透明导电玻璃全称为氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)透明导电膜玻璃，多通过ITO导电膜玻璃生产线，在高度净化的厂房环境中，利用平面磁控技术，在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。 ITO玻璃产品广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。　　3FTO透明导电玻璃　　FTO透明导电玻璃为掺杂氟的SnO2导电玻璃(SnO2:F)，简称为FTO。FTO玻璃可以做为ITO导电玻璃的替换用品，广泛用于液晶显示屏，光催化，薄膜太阳能电池基底等方面，市场需求极大 FTO玻璃因其特殊性，在染料敏化太阳能电池，电致变色和光催化方面对其透光率和导电率都有很高的要求，其综合性能常用直属FTC来评价：FTC＝T10／RS。T是薄膜的透光率，RS是薄膜的方阻值；在光学应用方面，则要求其对可见光有好的透射性和对红外有良好的反射性。对其基本要求是：①表面方阻低，②透光率高，③面积大、重量轻，④易加工、耐冲击。　　2FTO透明导电玻璃制备方法　　FTO透明导电玻璃的制备方法有，物理方法：溅射法、真空蒸发镀膜法、离子辅助沉积镀膜法等；化学方法：喷雾热解法、溶胶-凝胶法和化学气相沉积法等。目前适合批量生产且研发较多的有真空蒸发镀膜法、磁控溅射法、化学气相沉积法和喷雾热解等方法！［1］化学气相沉积法和真空镀膜法制备的薄膜和玻璃基板的结合强度不够，溶胶-凝胶法制备的导电薄膜电阻较高。适合于批量生产且已经形成产业的工艺，只有磁控溅射法和溶胶－凝胶法。特别是，溅射法由于具有良好的可控性和易于获得大面积均匀的薄膜。　　1磁控溅射法镀膜：　　溅射镀膜(sputtering deposition)是指用离子轰击靶材表面，使靶材的原子被轰击出来，溅射产生的原子沉积在基体表面形成薄膜。溅射镀膜有二级、三级或四级溅射、磁控溅射、射频溅射、偏压溅射、反应溅射、离子束溅射等装置。　　目前最常用的制备CoPt 磁性薄膜的方法是磁控溅射法。磁控溅射法是在高真空充入适量的氩气，在阴极（柱状靶或平面靶）和阳极（镀膜室壁） 之间施加几百K 直流电压，在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电，使氩气发生电离。氩离子被阴极加速并轰击阴极靶表面，将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。通过更换不同材质的靶和控制不同的溅射时间，便可以获得不同材质和不同厚度的薄膜。磁控溅射法具有镀膜层与基材的结合力强、镀膜层致密、均匀等优点。　　2真空蒸发镀膜：　　真空蒸发镀膜(vacuum vapor deposition)是在工作压强低于10-2 Pa，用蒸发器加热物质使之汽化蒸发到基片，并在基片上沉积形成固态薄膜的一种工艺方法。真空蒸发的加热方式主要有电阻加热蒸发、电子束加热蒸发、高频加热蒸发和激光加热蒸发等。对于镀制透明导电氧化物薄膜而言，其真空蒸发镀膜工艺一般有三种途径：(1)直接蒸发氧化物；(2)采用反应蒸发镀，即在蒸发金属的同时通入氧气进行化学反应生成金属氧化物；(3)对蒸发金属镀膜进行氧化处理。　　3溶胶-凝胶法：　　溶胶-凝胶法(so1-gel)是近年来发展起来的能代替高温固相合成反应制备陶瓷、玻璃和许多固体薄膜材料的一种新方法。它将金属醇盐或无机盐经溶液、溶胶、凝胶而周化，再将凝胶低温处理变为氧化物的方法，是应用胶体化学原理制各无机材料的一种湿化学方法。溶胶-凝胶工艺是一种制备多元氧化物薄膜的常用方法。按工艺可分为浸涂法和旋涂法。浸涂法是将衬底浸人含有金属离子的前驱体溶液中，以均匀速度将其提拉出来，在含有水分的空气中发生水解和聚合反应，最后通过热处理形成所需薄膜；而旋涂法则是通过将前体溶液滴在衬底后旋转衬底获得湿膜。　　4化学气相沉积法：　　化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态薄膜沉积在加热的固态衬底表面，是一种重要的薄膜制各方法。CVD法所选的反应体系必须满足：(1)在沉积温度下，反应物必须有足够的蒸汽压；(2)化学反应产物除了所需的沉积物为固态外，其余必须为气态；(3)沉积物的蒸汽压应足够低，以保证能较好地吸附在具有一定温度的基体上，但此法因必须制各具有高蒸发速率的铟锡前驱物而使生产成本较高。影响化学气相沉积薄膜的工艺参数很多，包括基体温度、气压、工作气体流量和反应物及其浓度等。　　化学气相沉积技术的主要特点包括：设备及工艺简单、操作维护方便、灵活性强；适合在各种形状复杂的部件上沉积薄膜：由于设备简单，薄膜制备的成本也比较低。但是，薄膜的表面形貌很大程度上受到化学反应特性以及能量撒活方式的影响。　　5喷雾热分解法：　　喷雾热分解法是化学法成膜的一种，其过程与APCVD法比较相似。它是将前驱体溶液在高压载气的作用下雾化，然后输送到基片表面，在高温作用下，前驱体溶液发生一系列复杂的化学反应，在基片表面上得到需要的薄膜材料。而反应副产物一般是通过气相形式排出反应腔。常用的高压载气主要有：压缩空气、氮气、氩气等等。但是由于压缩空气中常含有大量的水蒸气，所以用氮气作为载气的情形比较多。如果需要在基片表面上发生分解反应，基片温度一般在300℃以上，在玻璃上制备FTO薄膜的基片温度一般为500℃。影响最终薄膜性能的喷涂参数有：载气压力、前驱体溶液流量、基片温度、喷口与基片的距离、喷枪移动速度等等［2］。在成膜过程中基材的温度、液体的流速、压缩气体的压力以及喷嘴到基材的距离等参数均可实现精确控制［3］。　　3 FTO透明导电玻璃的研究现状、应用及发展趋势　　1FTO透明导电玻璃的研究现状　　自1907年Badeker首次报道了热氧化溅射的Cd薄膜生成半透明导电的CdO薄膜，引发了对透明导电氧化物(TCO)薄膜的研究。1950年前后出现了硬度高，化学稳定性好的SnO2基薄膜及综合光电性能优良的In2O3基薄膜，ZnO基薄膜的研究始于2O世纪80年代 。目前研究和应用较多的TCO薄膜主要有SnO2、In2O3。和ZnO基三大体系，其中以In203：Sn(ITO)，SnO2 ：F(FTO)和ZnO：Al(ZAO)最具代表性，这些薄膜具有高载流子浓度(1018～1021cm-3)和低电阻率(10-3～1O-4Ω•cm)，且可见光透射率8O％～90％，使这些薄膜已被广泛应用于平面显示、建筑和太阳光伏能源系统中。［4］ 已经商业化应用的TCO薄膜主要是In2O3Sn(ITO)和SnO2：F(FTO)2类，ITO由于其透明性好，电阻率低，易刻蚀和易低温制备等优点，一直是显示器领域中的首选TCO薄膜。FTO薄膜由于其化学稳定性好，生产设备简单，生产成本低等优点在节能视窗等建筑用大面积TCO薄膜中，具有很大的优势［5］。　　Sn02：F（FTO）掺杂体系是一种n型半导体材料，表现出优良的电学和光学性能，并且耐腐蚀，耐高温，成本低，化学稳定性好，是现在研究较多，应用范围较广的一类TCO薄膜。苗莉等［6］采用喷雾热解法，以NH4F、SnCl2•2H20为原料，在普通玻璃衬底上制备出了方块电阻最低达到2Ω/口，可见光透光率为95％的FTO薄膜，且薄膜晶粒均匀，表面形貌平整致密。Yadav等［7］采用喷雾热解法，制备了不同厚度的FTO薄膜，最低电阻率达到91 X 10-4 Ω•cm。Moholkar等［8］采用喷雾热解法，制备了不同掺F浓度的FTO薄膜，研究了氟的掺杂浓度对Sn02薄膜的光学，结构和电学性能的影响。中国科学院等离子体物理研究所的戴松元小组［9、10］将FTO用于染料敏化太阳电池的透明电极，并获得较高的光电转换效率。　　射频溅射：　　射频溅射的基本原理是射频辉光放电。国内外射频溅射普遍选用的射频电源频率为13．56MHz，以防止射频信号与无线电信号的相互干扰。通常直流溅射的基本过程是，从阴极发出的电子，经过电场的加速后获得足够的能量，可以使气氛气体发生电离。正离子在电场作用下撞击阴极表面，溅射出阴极表面的原子、分子到衬底表面发生吸附、凝聚，最终成膜。　　直流溅射不能用于绝缘体材料的薄膜制备，因为绝缘材料在受到正离子轰击时，靶材表面的正离子无法中和，使靶表面的电位逐渐升高，导致阴极靶与阳极问的电场减小，当靶表面电位上升到一定程度时，可以使气体无法电离，溅射无法进行。而射频溅射适合于任何一种类型的阻抗耦合，电极和靶材并不需要是导体，射频溅射非常适合于制备半导体、绝缘体等高熔点材料的薄膜。在靶材表面施加射频电压，当溅射处于上半周时，由于电子的质量比离子的质量小很多，故其迁移率很高，用很短时间就可以飞向靶面，中和其表面积累的正电荷，从而实现对绝缘材料的溅射，并且在靶表面又迅速积累起了大量的电子，使其表面因空间电荷而呈现负电位，导致在射频溅射正半周期，也可吸引离子轰击靶材。从而实现了在电压正、负半周期，均可溅射。磁场的作用是将电子与高密度等离子体束缚在靶材表面，可以提高溅射速度。［11］　　用JPGF一450型射频磁控溅射系统在玻璃衬底上制备SnO2：F薄膜，系统的本底真空度为10-3Pa．溅射所用陶瓷靶是由纯度为99％SnO2和NH4F，粉末经混合、球磨后压制成坯，再经1300℃烧结而成，靶中NH4F的重量比是78％，用纯度为99．99％ 的氩气和氧气作为工作气体，由可控阀门分别控制气体的流量。溅射过程中，控制真空室内氩气压强为1Pa，氧分压为5—5 Pa，靶与衬底间的距离为5cm．溅射功率为150W，溅射时间为25 min，衬底温度为100℃。用RIGAKU D／MAX—yA型x射线衍射(XRD)仪(CuKa辐射波长，154178 nm)测试样品的结构，用APHM一0190型原子力显微镜(AFM)观测样品的表面形貌，使用 rv一1900型紫外可见光分光光度计测量样品的吸收谱，使用激发源为325 nm的He—Cd激光器的光谱仪测量样品的室温光致发光谱，使用普通的万电表测试它的导电性（前提是尽量保持测量条件的一致性）。　　2FTO透明导电玻璃的应用　　FTO透明导电玻璃具有优良的光电性能，被广泛用于太阳能电池的窗口材料、低损耗光波导电材料及各种显示器和非晶硅太阳能电池中作为透明玻璃电极等，与生活息息相关。　　1在薄膜太阳电池上的应用　　太阳能电池是利用光伏效应，在半导体p-n结直接将太阳光的辐射能转化成电能的一种光电器件。TCO薄膜是太阳电池关键材料之一，可作为染料敏化太阳电池(dye-sensitized solar cells，DSCS)［12］等的透明电极，对它的要求是：具有低电阻率(方块电阻Rsh约为15Ω/□)；高阳光辐射透过率，即吸收率与反射率要尽可能低；化学和力学稳定性好的特点。在薄膜太阳电池中，透明导电膜充当电极，具有太阳能直接透射到作用区域几乎不衰减、形成p-n结温度较低、低接触电阻、可同时作为防反射薄膜等优点。　　2在显示器上的应用　　显示器件能将外界事物的光、声、电等信息，经过变换处理，以图像、图形、数码、字符等适当形式加以显示。显示技术的发展方向是平板化。在众多平板显示器中，薄膜电致发光显示由于其主动发光、全固体化、耐冲击、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，引起广泛关注，并发展迅速。FTO薄膜具有可见光透过率高、电阻率低、较好的耐蚀性和化学稳定性，因此被广泛用作平板显示器的透明电极。　　3在气敏元件上的应用　　气体传感器是把气体的物理、化学性质变换成易处理的光、电、磁等信号的转换元件。半导体气体传感器是采用金属氧化物或金属半导体氧化物材料做成的元件，与气体相互作用时产生表面吸附或反应，引起以载流子运动为特征的电导率或伏安特性或表面电位变化。二氧化锡薄膜气敏器件具有灵敏度高、响应速度和恢复速度快、功耗低等特点，更重要的是容易集成。随着微电子技术的发展，传感器不断向智能化、微型化方向发展。［13］　　4在建筑幕墙玻璃及透明视窗上的应用　　喷雾热解法制各的FTO薄膜能用于阳光节能玻璃，对可见光高透射，但对红外光高反射，其反射率大于70％。让阳光中可见光部分透过，而红外部分和远红外反射。阳光中的可见光部分对室内采光是必需的，但可将红外部分的热能辐射反射回去，能有效调节太阳光的入射和反射。利用FTO薄膜在可见光区的高透射性和对红外光的高反射性，可作为玻璃的防雾和防冰霜薄膜。　　3 FTO透明导电玻璃的发展趋势　　随着LCD的商品化、彩色化、大型化和TFT的驱动或太阳能电池的能量转变效率的提高，人们对透明导电氧化物（TCO）薄膜的要求越来越严格，至少需要满足如下条件：　　(1)导电性能好，电阻率较低；　　(2)可见光内透光率较高：　　(3)镀膜温度更接近室温，能大面积均匀地镀膜；　　(4)膜层加工性能好，可以进行高精度低损伤腐蚀；　　(5)热稳定性及耐酸、碱性优良，硬度高；　　(6)表面形状良好，没有针孔；　　(7)价格较低，可实现大规模工业化生产。　　目前，TCO薄膜已普遍达到下列水平：膜厚为500 nm的情况下电阻率在10-4 Ω•cm数量级，在可见光区透光率达80％，载流子迁移率一般达到40cm2／(v•s)。虽然TCO薄膜的性能指标可以满足当前应用需要，但随着器件性能的不断提升，对TCO薄膜提出了更高的性能要求。一些学者提出了TCO薄膜发展的一个量化的前景指标：禁带宽度>3 eV，直流电阻率～5×10-5 Ω•cm，可见光段在自由电子作用下的吸收系数<2x103 cm-1，载流子迁移率>100 cm2／(v•s)。　　几十年来，人们一直在努力提高透明导电薄膜的透明性和导电性。SnO2：F（TFO）透明导电薄膜由于其兼备低电阻，高的可见光透过率，近红外高的反射率，优良的膜强度和化学稳定性等优点，越来越受到人们的青睐，必将在平板显示器件、建筑物玻璃和气敏传感器等众多领域中得到更广泛的应用。利用溅射法制备FTO透明导电玻璃它的生产工艺简单，操作方便，利于控制。成本较低，原料易得，但在制备过程中NH4F加热分解放出有污染的氮氧化物和氨烟，这对以后商业化生产造成了很大的制约。所以对原料的改进和污染的控制方面还有待开发。　　4 制备条件对膜结构及光电性能的影响　　长安大学材料科学与工程学院段理等做了磁控溅射制备银掺杂ZnO薄膜结构及光电性质研究实验，发表了文献［14］，并在文献14中得出了1——3的结论。　　1制备条件对膜厚的影响　　文献中采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了银掺杂ZnO薄膜，当薄膜淀积时间从30rain延长到90min时，薄膜的厚度几乎按照线性关系从约270nm增加到820nm，即薄膜的淀积速率大致稳定在9nm／min左右，为匀速生长。溅射功率与膜厚呈线性增长，及沉淀速率与溅射功率大致呈线性关系。　　2制备条件对膜结构的影响　　晶体质量随溅射功率的增大而降低，随溅射气压的增大而降低。　　3制备条件对膜光电性质的影响　　在固定溅射总气压的条件下，增大氧分压可以增强薄膜的紫外发光强度，增大薄膜的载流子浓度。　　4 退火对薄膜的影响　　退火能显著提高薄膜晶体质量，并增强薄膜的PL发光强度和导电能力，其原因是退火能使银离子完成对锌离子的替代从而形成受主。［15］　　5 退火后处理对膜结构与成分的影响　　光敏薄膜的光电、形貌性能与退火处理密切相关，退火处理优化了薄膜表面形貌、减小了光学能隙、增大了薄膜的导电率和载流子迁移率。光敏薄膜性能的优化，有利于增大聚合物太阳电池的填充因子、开路电压和短路电流，对于提高其能量转换效率、改善器件光伏性能具有非常重要的意义。［16］分别对较低氧分压反应磁控溅射制备的 薄膜进行氧化性气氛和惰性气氛退火。通过XRD和SEM 分析，发现氧化性气氛退火薄膜为表面多孔的金红石结构 ，而惰性气氛退火薄膜表面较为致密，结构分析不仅观察到金红石结构的 ，还发现了四方结构的 。XPS表面分析进一步表明，氧化性气氛退火后，薄膜成分单一，未氧化的 完全氧化成稳定的 ，而且具有稳定结构的 薄膜表面吸附水很少。相对而言，惰性气氛退火后，薄膜表面 、 和 共存，表面化学吸附氧和吸附水较明显，薄膜的稳定性降低。［17］　　6 FTO导电玻璃制备相关参数　　根据范志新等所提出的理论表达式： 带入相关数据可得到，SnO2:F（FTO）的最佳掺杂含量为54%［18］通过对比总结，参考大量数据，选择溅射功率：100W，溅射压力：5Pa，溅射时间：5h，溅射靶距：38mm［13、19］做产品。进行相关参数的选择与优化。　　7 参考文献　　1、张志海， 热解法制备氟掺杂二氧化锡导电薄膜及其性能研究 合肥工业大学　　2、汪振东， 玻璃基TiO<，2>-SiO<，2>/SnO<，2>：F薄膜的喷雾热分解法制备和表征 武汉理工大学　　3、郝喜红， 喷雾热解法制备掺杂二氧化锡导电薄膜 西安建筑科技大学　　4、张明福等， 透明导电氧化物薄膜研究的新进展 压电与声光　　5、方俊 杨万莉， n型透明导电氧化物薄膜的研究新进展 陶瓷　　6、苗莉等， SnO2:F导电薄膜的制备方法和性能表征 材料导报　　7、Yadav A A，Masumdar E U，Moholkar A V，et a1．Effect of quantity of spraying solution on the properties of spray deposited fluorine doped tin oxide thin films[J]．Physiea B：Condensed Matter，2009，404(12—13)：1874 - 1877．　　8、Moholkar A V，Pawar S M，Rajpure K Y，et a1．Effect of fluorine doping on highly transparent conductive spray deposited nanocrystalline tin oxide thin films[J]．Applied Surface Science，2009，255(23)：9358—9364．　　9、Dai S，Wang K，Weng J，et a1．Design of DSC panel with efficiency more than 6％[J1．Solar Energy Materials and Solar Ceils，2005，85(3)：447—455．　　10、Huo Z，Dai S，Wang K，et a1．Nanocomposite gel electrolyte with large enhanced charge transport properties of an 13-／I- redox couple for quasi-solid-state dye-sensitized solar cells[J]．Solar Energy Materials and Solar Cells，2007，91(20)：1959-1965．　　11、王璟和，射频溅射法制备透明导电陶瓷薄膜 天津大学　　12、姜磊等， 染料敏化太阳电池研究进展 内蒙古大学学报（自然科学版）　　13、曾志峰等， 射频溅射法制备掺杂SnO2纳米薄膜的研究 武汉大学学报（理学版）　　14、段理、樊小勇等， 磁控溅射制备银掺杂 薄膜结构及光电性质研究 材料导报(研究篇)　　15、SunLL，TanO K，ZhuW G，et a1．Pb(Zro 3Ti0． 7)03／Pb-TiO3 multilayer thin films for pyroelectric infrared sensorapplication[J]．J Appl Phys，2006，99(9)：09410　　16、顾锦华、钟志有等， 真空退火处理对光敏薄膜及聚合物太阳电池性能的影响 中南民族大学学报(自然科学版)　　17、王磊、杜军等， 退火气氛对SnO2薄膜结构与成分的影响 材料导报　　18、范志新等， 二氧化锡薄膜的最佳掺杂含量理论表达式 电子器件　　19、刘庆业等， 射频溅射法研制SnO2纳米薄膜 广西师范大学学报（自然科学版）

研究生导师的因素研究生导师是影响研究生学位论文选题的重要因素，也可以说，研究生学位论文选题质量的高低，导师负有不可推卸的责任。这些方面对于研究生是否敢于选择具有前沿性、挑战性和开拓性的选题，具有直接或间接的影响。其次，导师的“把关”或“甄选”，也直接或间接地影响着研究生学位论文的选题质量。如，哪些研究领域是具有学术研究的意义和价值的，哪些领域是具有前沿性对硕士研究生来讲确实存在着很大的困难，导师就上述方面的问题向研究生提出可能性、务实性和可行性的建设性意见或建议，一是可以避免研究生的选题盲目“求新求异”，误解前沿性和创新性的内涵所指;二是避免研究生在选题上盲目求“大”，忽视自身的研究能力的局限性。 研究生课程设置的因素研究生课程设置也直接影响着研究生学位论文的选题。目前在研究生的课程设置上存在一些问题:首先，部分课程内容反映不出本学科领域内的最新知识和科研成果。尤其是一些学科领域中的热点、难点和尚存争议的问题及边缘学科或跨学科性的研究与发展情况很少能够及时地、迅速地反映到研究生教育的课程内容中。其次，研究生选修课程、学术讲座和学术讨论等性质的课程，在设置上也存在着不少的问题。总之，由于课程设置上的诸多缺陷，致使研究生在接受教育期间，缺乏必要的研究意识、探究专业前沿性问题的意识，研究的思维视野不够宽广，从而影响了研究生研究方向的确立及论文的选题。以上就是环球青藤小编关于研究生学位论文选题的相关内容，希望对即将毕业的小伙伴们在论文写作上有所帮助，更多相关内容，欢迎关注本平台!

论文的原因分析写法如下：可以从这两点来叙述，不过要根据自己的选题，不要生搬硬套。1、(你的选题)是前人没有研究过的，也就是说研究领域中一个新颖有意义的课题，被前人所忽略的。2、 前人有研究过，或者说阐述过但是没有阐述论证的足够全面，你加以丰满，或者驳斥前人的观点， 总之，意义和目的一定要叙述的清晰并且是有一定新意的 其次注意自己所使用的理论。你是用什么理论证明你的观点 也要叙述清楚，否则难以有说服力 在做文献综述和国内外研究水平的评价等等也要有翔实的根据 这样才能衬托出你的选题的意义所在。研究的目的、意义也就是为什么要研究、研究它有什么价值。这一般可以先从现实需要方面去论述，指出现实当中存在这个问题，需要去研究，去解决，本论文的研究有什么实际作用，然后，再写论文的理论和学术价值。这些都要写得具体一点，有针对性一点，不能漫无边际地空喊口号。结构论文一般由名称、作者、摘要、关键词、正文、参考文献和附录等部分组成，其中部分组成（例如附录）可有可无。论文题目要求准确、简练、醒目、新颖。目录目录是论文中主要段落的简表。内容提要是文章主要内容的摘录，要求短、精、完整。关键词定义关键词是从论文的题名、提要和正文中选取出来的，是对表述论文的中心内容有实质意义的词汇。关键词是用作计算机系统标引论文内容特征的词语，便于信息系统汇集，以供读者检索。每篇论文一般选取3-8个词汇作为关键词，另起一行，排在“提要”的左下方。

如果你不知道如何写，但是又急着交。一个非常简便的方法，就是去知网上面找你要写的那方面的硕士论文，上面有完整的文献综述（那最好，你稍稍改动即可），如果是开题报告形式，你就可以找好它上面的内容（其实跟文献综述写的内容差不多，只是格式和形式不太一样）。你按照以下的提纲自己复制粘贴内容即可（我们这学期写了一篇文献综述），也有可能每个学校的要求提纲不太一样，不过都是差不多的不用太担心，主要是内容要找准： 论文题目：一般不超过25个字，要简练准确，副标题统一为“文献综述及研究思路”可分两行书写； 摘要：中文摘要字数应在300字左右，英文摘要与中文摘要内容要相对应； 关键词：关键词以3—5个为宜，应该尽量从《汉语主题词表》中选用，分号隔开； 正文：正文要符合一般学术论文的写作规范，内容层次分明，数据可靠，文字简练，观点正确，能运用现代经济学、管理学的分析方法，并能学会利用计量经济学、统计学等相关工具对所涉及的问题进行分析，文章主体字数为4000字以上。正文基本结构如下： 一、选题背景及选题意义 二、有关国内外研究成果综述 （一）国外研究成果 （二）国内研究成果 （三）对研究成果的评述（这个地方就不要把引用的写出来了，我被我们老师就批了） 三、基本研究思路（最好有图，把你参考的文章所有的提纲画一个简易图即可，不单是自己的文献综述，是你参考的整篇论文的内容） 四、研究方法及创新处 参考文献：参考文献应按文中引用出现的顺序列出，只列出作者直接阅读过、在正文中被引用过的文献资料，一律列在正文的末尾，特别在引用别人的科研成果时，应在引用处加以说明。每篇论文的参考文献一般不应少于五条。 希望对你有用~~

中国科技论文数量增加的原因分析报告

在人类的历史长河中，10年只是短暂的一瞬；但对于中国的科技事业，却实现了巨大的跃升。盘点10年来我国科技成就，不妨从一些数字的变化谈起：国家科技进步贡献率超过50%，比2000年—2005年间提高约8个百分点；我国的科技人力资源总量从2001年的2600万人提升到2011年的6200万人，科技人力资源总量和研发人员数量已双双跃升至世界第一；我国R&D经费支出额已从10年前的1042亿元提高到8610亿元，世界排名从第7位跃居至第3位；SCI数据库收录的中国论文数量在世界各国的排名从第8位迅速跃居至世界第2位……　　数字展现着中国科技的力量，记录着中国科技发展10年成长轨迹。　　就国家整体创新能力而言，我国与创新型国家差距迅速缩小，科技进步对经济发展的贡献达到历史最高水平。据中国科学技术发展战略研究院发布的《国家创新指数2011》报告显示，在占世界研发经费支出98%的40个国家中，我国的国家创新指数已由2001年的第37位上升到第20位。根据国家“十二五”科技发展规划，到2015年，我国的国家创新指数国际排名将进入世界前18位。该研究院还对我国历年的科技进步贡献率进行测算，结果显示，2005年—2010年间我国的科技进步贡献率达到51%。　　10年来，我国科技论文数量平稳快速增长。2001年—2010年间，SCI数据库收录的中国论文数量在世界各国的排名从第8位迅速跃居至第2位，总量已经达到2万篇。SCI收录的中国论文占世界论文总数的比重也由2001年的6%提高到2010年的6%。从各学科看，我国有6个学科的SCI论文10年累计数居世界前3名，分别是材料科学、化学、物理学、工程技术、数学和计算机科学。2001年—2011年间，我国国内发明专利申请量以30%的年均增速快速增长，2011年达到6万件，仅次于日本而居世界第2位。　　科技论文与专利数量的增长、质量的提升与科技人员和经费的投入力度密切相关。我国科技活动产出效率稳步提高，一些指标处于世界较高水平。2010年我国学术部门单位R&D经费的SCI论文产出量（2010年的论文数与2008年R&D经费之比）为1篇/百万美元，是2001年的3倍，在学术部门R&D经费超过80亿美元的10个国家中位居首位。2011年我国每百万美元R&D经费的本国人发明专利授权量（2011年的专利数与2008年R&D经费之比）为6件，是2001年（7件）的1倍；分别是2010年德国的9倍、美国的6倍和日本的3倍。在世界主要专利产出大国中，我国R&D经费的发明专利产出效率居首位。　　在大幅增加科技投入的同时，我国科技资源配置能力显著增强。一方面，科技人力资源总量跃居世界首位，研发人员素质大幅提升。我国的科技人力资源总量有了大幅增长，从2001年的2600万人迅速提升到2011年的6200万人；同时，2001年全社会投入R&D活动的研发人员为96万人年，到2011年，这一数字已突破280万人年。10年间，我国的科技人力资源总量和研发人员数量已双双跃升至世界第1位。　　与此同时，我国研发人员的素质也有了大幅提高。根据2009年第2次全国R&D资源清查的数据，全国研究开发机构中，具有博士学位的人员已达到2万人，具有硕士学位的人员已达到5万人，分别是2000年的8倍和7倍。　　另一方面，科技经费投入持续增加，研发经费总量已居世界第3位。在政府和企业的共同努力下，我国科技经费投入持续增长。2001年，我国政府财政科技拨款为703亿元，到2011年则已达到约4900亿元，对贯穿基础研究和科技成果产业化的科技活动给予强大支持。10年间，我国R&D经费支出额已从1042亿元提高到8610亿元，世界排名从第7位跃居至第3位。R&D经费与GDP的比值是测度一个国家R&D投入强度的重要指标，也是评价一个国家经济增长方式的重要指标。我国这一比例保持逐年上升趋势，2011年达到83%，比2001年提高了88个百分点，在发展中国家中居领先位置。　　同时，国家科技计划支撑经济社会发展能力显著增强。“十一五”期间，国家科技计划共安排项目（课题）51904项，较“十五”增长5%，中央财政拨款28亿元，比“十五”期间增长31倍。国家科技计划参与人员水平和质量持续提升，其中高级技术职称人员占比约为37%。973计划、科技支撑计划、863计划出版专著6亿字，发表论文4万篇，其中国际论文6万篇，申请专利1万项，其中申请发明专利3万项，获得授权专利3万项，其中发明专利授权1万项。　　经过10年努力，积极引进先进的资本运作管理理念，广开科技合作引资渠道，我国已初步建立了多元化、多层次、多渠道的科技投融资体系。政策性金融和创业风险投资较快发展，科技担保、多层次资本市场建设不断推进，科技保险和知识产权抵押贷款试点稳步开展。2011年，中国创业投资管理的资本总量达3198亿元。自2009年10月国家推出创业板到2011年末，创业板上市的企业数达到281家，融资超过2500亿元。　　10年来，国家创新体系建设的步伐也日趋稳健。企业技术创新主体地位显著增强，2001年企业R&D经费占全国R&D经费的4%，到2010年全国各类企业投入R&D经费达5亿元，占全国R&D经费比重上升到4%。截至2010年，创新型企业总数达353家，试点企业已达550家。政府研究机构创新能力稳步增强，创新效率迅速提升。“十一五”期间，政府研究机构R&D人员以及R&D人员全时当量一直保持着稳定的增长趋势，年均增长率分别为2%和4%，R&D经费年均增长3%，比“十五”期间提高了6个百分点。2010年，政府研究机构开展R&D活动的人员有2万人，按实际工作时间计算的R&D人员全时当量为3万人年。政府研究机构的R&D经费已达4亿元，政府研究机构创新能力稳步增强。“十一五”期间，政府研究机构的专利申请和授权的增长速度均超20%，明显高于R&D人员和经费的增长速度。高等学校科研能力也迅速提升。“十一五”期间，高校作为第一承担单位承担国家自然科学基金面上项目40523项，占总数的81%，重点项目1272项，占总数的67%；承担973计划项目232项，占总数的7%；承担重大科学研究计划项目118项，占总数的4%；承担863计划课题4376项，经费75亿元，占总数的30%；承担国家科技支撑计划项目1055项，经费46亿元，占总数的20%。科教结合助推创新型国家建设。“十一五”期间，全国高校累计获得国家自然科学奖102项，技术发明奖151项，科技进步奖711项。其中，2010年的国家三大奖项，高校获奖比例均超70%，高校授权专利数累计达115489件，年均增长1%。近几年我国的科技力量与日俱增，增长更快。祝你生活愉快

中国现在的科技实力正在迅速提升。2018年6月25日，中国科学院文献情报中心和科睿唯安在北京联合发布了《G20国家科技竞争格局之辩》系列报告。报告显示：G20国家中，中国在科研和技术创新力方面表现突出，在人工智能领域的科技实力仅次于美国，且增速明显。中国的科研表现力提升迅速，科研经费投入、科研论文产出与学术影响力在2012-2016年均跃居世界第二位，并在全球论文引证网络中跃进核心位置。其中，化学、计算机科学、工程学、材料科学和物理学学科，中国处于领先地位。中国在技术创新力方面地位突出，2012-2016年专利申请量超过美国，居世界第一位。与美国、英国、德国、法国、加拿大等国相比，中国专利更侧重在国内布局。扩展资料全球在2016年支持新兴技术产业化的风险投资总额超过1300亿美元，其中美国吸引了约700亿美元，略微超过半数，还有26％的资本则流向中国。2013年至2016年，中国吸引的风险投资从大约30亿美元猛增至340亿美元，增幅全球领先。2003年以来，中国科学和工程专业论文数量大幅提升，该报告所统计的中国2016年论文数量超过美国，成为全球第一。如果只看高引用率论文的数量，美国和一些欧洲国家仍然领先，但中国论文在国际上被引用的次数正越来越多，高引用率论文数量也位居全球前列。参考资料来源：新华网-综述：美报告称中国科技实力迅速提升参考资料来源：人民网-报告显示中国人工智能科技实力仅次于美国

中国论文数量不断增加的原因是

体现出我们国家的实力，说明我们国家论文还是很优秀的，人们发表的东西非常多，有很多的人才，科研水平有了进步。

科技部中国科学技术信息研究所31日发布的最新中国科技论文统计结果显示：2007年至2017年10月我国科技人员发表的国际论文共被引用19335万次，较2016年统计时增加9％，排名比去年上升两位，超越英国和德国跃居世界第二位。我国《“十三五”国家科技创新规划》把自主创新能力全面提升列为首要发展目标。其中，要求国际科技论文被引次数达到世界第二。现在，这一目标已提前实现。过去10年，我国国际科技论文平均每篇被引用40次，虽然与世界水平还有一定差距，但比上年度统计时的55次提高9％。论文发表后被引用的情况，可以反映论文的影响。各学科论文在2007—2017年被引用次数处于世界前1%的论文称为高被引论文。近两年间发表的论文在最近两个月得到大量引用，且被引用次数进入本学科前1‰的论文称为热点论文。据介绍，我国国际热点论文数量占世界1/4，高被引论文数量继续保持世界排名第三位。其中，截至2017年10月，中国高被引论文为20131篇，占世界份额为7%，数量比2016年增加了7%，世界排名保持在第三位。美国的高被引论文数为69976篇，仍居第一位。英国的高被引论文数为25880篇，居第二位。

第一，我国的顶尖科学家非常多，第二，他们在各个领域都有很多发现，第三，我国的科学技术水平在国际上处于领先，第四，中国人最善于写论文，第五，论文水平很高。

在写论文的时候我们难免会引用到别人的理论成果来使自己的论文更加丰富更加具有说服力，适当的引用能让自己的论文锦上添花，在知网查重检测时，只要不是大段大段的引用，也不会有很大的影响，但是近年来，国内的论文虽然发表了很多，但是引用率却非常的低，这里小编跟大家分析一下原因。大家都非常关心每年向全世界发布的SCI(科学引文索引)统计结果当中，我国的学术论文总数是多少，论文增长多少篇，被引用多少次。从整体上看，我国的论文总数在增长，引用率也在提高。但人们在欢欣鼓舞的同时，也会发现：国内的论文引用率仍然不够，跟我们的大国身份很不相称，和科技投入不相称;投入的变化十分巨大，引用的变化确非常缓慢。知网查重的学士论文引用率为什么这么低？由此可见我国学术论文的质量存在着问题，具体是哪些呢?我认为我们的学术论文存在六个问题，第一、引言过于笼统，起不到引言的作用，对研究背景、内容、工作的意义，没有实质性描述。第二、整个学术论文没有对同行工作的介绍，把我们的学术论文一放到国际背景下，看起来有点像小学生的论文。第三、作者手上没有有分量的文献，参考文献量太少，有的只有两三篇，有的根本没有参考文献。第四、在写作方面缺乏研究过程的重要环节的完整信息，多数人不会结合讨论来解释他得到的结果。科学技术、理工农医的论文的重要一环是解析实验结果，而我们的一些论文往往以结论代替讨论，没有讨论，人们就不知道它有什么重要性和创新性。第五、原创性的论文没有第一手的研究结果，自己研究分析一通，得出的是别人的结果或者是引用了别人的内容，为了降低知网查重率，随意的改动了别人的内容不标引用。第六、不介绍同类工作已有的结果，不提人家研究到什么程度了，只说自己是世界先进水平，这是违背科学道德的。虽然解决这些问题，需要从很多方面入手。但是我想，如果我们能从正面提倡引用别人的论文，就能解决我们这六个问题中的好几个问题。如果他能够认真地引用论文，前三个问题就解决了，第四个问题也可以部分的解决了，因为作者就会明白什么叫讨论，什么叫结果，什么叫结论。为什么我国论文的引用率低下呢?这个问题一直困惑着众多的学者，而要提高学术论文质量，就要从提高引用率开始。我们希望引用率能不断提高，不但要引用国外的论文，还要引用中国的论文，不但要引用自己的论文，还要引用同行的论文。我认为学术论文引用率低有四个原因：第一、传统文化的影响，自我谦虚，同时又文人相轻，谦虚使自己原来做得很好的工作不引用。第二、科学历史造成了我们引用少。什么叫科学历史?因为现代科技对中国人来讲是个外来文化，都是舶来品，因此自己的东西没有什么可以引用的。没有引证的需要，没有形成传统。第三、浮躁风。有的人写论文的目的只是为了评职称，评教授、博导，是为了拿毕业证，拿学位证书，只要通过知网查重就行了，发表是目的，引用不引用无所谓，不管天下还有谁跟他做一样的工作。第四、由于我们在科学技术上不成熟，我们在科学技术上稳定的发展科技才30年，这30年对我们来讲很宝贵。但是，我们要实事求是的说，人家已经发展了200年、300年。科学技术上的不成熟导致了我们缺乏引用，但我们不能等到成熟了才行，我们要跨越式的发展。因此要提高学术论文引用率，写论文的专家要多引用论文，包括自己的论文和别人的论文，还有从事科技管理的专家要鼓励从各方面采取措施提高引用率，把这两项做好，相信我国学术论文的质量会逐渐提高，发展速度也会上升的。本文整理自网络，仅供大家参考。想要进行论文检测同学，可以去Paperfree进行检测，准确率也是可以保证的。 paperfree将近期会推出的机器降重、自动降重工具主要支持常用的检测系统，如知网检测系统，维普检测系统，paperpass检测系统，同时后续还会支持更多的检测系统，包括papertime等，是不是很期待，想使用机器降重可联系哦。自动降重功能虽然有一定参考作用，个别地方还是需要人工修改，毕竟还是个机器，机器改重完后，需要找修改老师再顺一遍，这样才保险。当然无论是机器智能降重，还是人工降重，都需要先检测，根据检测报告才能确定哪些地方是重复的。